[发明专利]用于半导体制造的先进工艺控制方法和系统

权利要求书

1.一种先进工艺控制方法，适用于半导体制造，包括：

提供即将被一半导体机台处理的一目前晶片；

提供上述半导体制造机台所处理过的多个先前晶片的一第一数据；

将一噪声自上述第一数据去耦合，用以产生一第二数据；

根据上述第二数据与一目标数据的邻近程度，评估一先进工艺控制执行效能；

根据上述先进工艺控制执行效能，决定一控制参数；以及

根据上述控制参数，控制上述半导体制造机台，用以处理上述目前晶片。

2.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，其中上述半导体制造机台包括一蚀刻机台，并且上述控制参数包括一蚀刻工艺的一微削时间。

3.如权利要求2所述的先进工艺控制方法，其中上述将上述噪声自上述第一数据去耦合的步骤还包括：

确认上述第一数据的一先进工艺控制效应，用以提取上述蚀刻工艺的一蚀刻反应室效应，其中上述蚀刻反应室效应包括影响上述蚀刻工艺的上述蚀刻机台的一条件；以及

去除上述蚀刻工艺的一先前工艺效应，其中上述先前工艺效应包括一图案化工艺的一显影后检查。

4.如权利要求3所述的先进工艺控制方法，其中上述蚀刻工艺的一先进工艺控制演算法是以一模型方程式、一控制方程式和一指数加权移动平均方程式表示，上述模型方程式表示如下：

y＝a·x+b＝R_trim·T_trim+model_b

其中y为一微削后线宽，a为以R_trim表示的一微削率，x为以T_trim表示的一微削时间，并且b为以model_b表示的一参数；

上述控制方程式表示如下：

u=T-ba]]>

其中u为一即将应用于上述蚀刻工艺的微削时间，且T为一目标微削线宽；以及

上述指数加权移动平均方程式表示如下：

b_n+1＝ω·(y_n-a·x_n)+(1-ω)·b_n

其中ω介于0和1之间，且上述指数加权移动平均方程式用以更新上述参数b。

5.如权利要求4所述的先进工艺控制方法，其中上述确认上述第一数据的上述先进工艺控制效应的步骤还包括：

通过设定一常数微削时间，将上述第一数据的上述先进工艺控制效应去耦合，上述常数微削时间是用以处理上述目前晶片的一平均微削时间；

根据不同于上述平均微削时间的一微削时间，决定一干净微削率；以及

根据上述平均微削时间和上述不同于上述平均微削时间的微削时间之间的差值和上述干净微削率，决定一调整后的微削线宽。

6.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，其中上述评估上述先进工艺控制执行效能的步骤还包括：

决定上述第一数据的一所测量到的微削后线宽和上述第二数据的一去耦后的微削后线宽间的绝对差值的一控制数据分布；

决定上述第一数据的上述所测量到的微削后线宽和上述目标数据的一目标微削后线宽间的绝对差值的一目标控制数据分布；

决定上述控制数据分布的平均数和标准差的一第一集合，以及上述目标控制数据分布的平均数和标准差的一第二集合；

决定上述第一和第二集合间的一距离；以及

根据上述距离，设定一先进工艺控制效能指标。

7.如权利要求6所述的先进工艺控制方法，其中上述决定上述控制参数的步骤还包括：

决定上述控制参数，使得上述第一和第二集合之间的上述距离接近于零。

8.如权利要求1所述的先进工艺控制方法，还包括：

根据上述先进工艺控制执行效能，决定另一控制参数，其中上述另一控制参数包括一侧壁夹角参数。