[发明专利]控制石英晶体工作频率的方法及基于石英晶体的参考时钟

说明书

技术领域

本发明属于通信技术领域，尤其涉及一种应用于TD-SCDMA/GSM(时分同步码分多址/全球移动通讯系统)双模终端的控制石英晶体工作频率的方法及基于石英晶体的参考时钟。

背景技术

随着终端技术的日趋完善，移动终端的商用化程度要求越来越高。移动终端的商用化趋势，使得移动终端生产厂商对移动终端成本的控制越来越严。目前的TD-SCDMA/GSM双模移动终端设计中，参考时钟都是使用的压控温补振荡器(VCTCXO)，如图1所示。这种晶振精度较高、可靠性比较好。但是，压控温补振荡器的价格是石英晶体价格的几倍。

虽然石英晶体凭借其低廉的价格在GSM单模移动终端上得到广泛应用，而在TD-SCDMA移动终端却应用很少。究其原因，是由于TD-SCDMA移动终端对频率误差要求比较高，而石英晶体的频率误差随温度变化较大(高达+/-10ppm)，这样就很容易超出了TD-SCDMA移动终端搜索网络所容许的频率误差范围(+/-3ppm)，从而导致石英晶体在TD-SCDMA移动终端中应用很少。

发明内容

为了解决上述问题，本发明的目的是提供一种控制石英晶体工作频率的方法及基于石英晶体的参考时钟，可实时的调整因外界温度变化引起的石英晶体的频偏，扩展了基于石英晶体的参考时钟的应用范围。

为了达到上述目的，本发明提供一种控制石英晶体工作频率的方法，所述方法包括：

步骤A、检测石英晶体周围的温度变化，并将检测得到的温度变化信息反馈给基带芯片；

步骤B、根据所述温度变化信息和预先得到的石英晶体的频率随温度变化曲线，来控制所述石英晶体的工作频率。

优选的，所述步骤A包括：

通过温度检测器检测所述石英晶体周围的温度变化；

根据所述温度检测器的热敏电阻随外界温度变化阻值变化的特性，将得到的所述温度变化信息转换为电压值；

所述温度检测器将得到的电压值反馈给所述基带芯片。

优选的，所述步骤B包括：

所述基带芯片根据反馈的所述电压值、所述石英晶体的频率随温度变化曲线、以及频率随电压的变化曲线，计算出电压补偿值；

根据所述电压补偿值，通过控制总线控制所述石英晶体的工作频率。

优选的，在所述步骤A之前，所述方法还包括：

获取所述石英晶体的频率随温度变化曲线。

本发明还提供一种基于石英晶体的参考时钟，包括：

第一射频芯片；

石英晶体，与所述第一射频芯片连接，用于提供参考时钟信号给所述第一射频芯片；

基带芯片，与第一射频芯片连接，接收所述第一射频芯片输出的参考时钟信号；

温度检测器，与所述基带芯片连接，设置在所述石英晶体周围，用于检测所述石英晶体周围的温度变化，并将检测得到的温度变化信息反馈给所述基带芯片，所述基带芯片根据所述温度变化信息和预先得到石英晶体的频率随温度变化曲线，来控制所述石英晶体的工作频率。

优选的，所述基带芯片根据反馈的所述温度变化信息、所述石英晶体的频率随温度变化曲线、以及频率随电压的变化曲线，计算出电压补偿值；

所述第一射频芯片根据所述电压补偿值控制所述石英晶体的工作频率。

优选的，所述第一射频芯片为GSM射频芯片或TD-SCDMA射频芯片。

优选的，所述参考时钟还包括：

第二射频芯片，分别与所述第一射频芯片和基带芯片连接，用于接收所述第一射频芯片发送的时钟参考信号，所述第二射频芯片接收的时钟参考信号与所述石英晶体的时钟信号同源。

优选的，所述第二射频芯片为TD-SCDMA芯片。

由上述技术方案可知，通过温度检测器检测石英晶体周围的温度变化，并将检测得到的温度变化信息反馈给基带芯片，该基带芯片根据温度变化信息和石英晶体的频率随温度变化曲线，来控制石英晶体的工作频率，可实时的调整因外界温度变化引起的石英晶体的频偏，扩展了基于石英晶体的参考时钟的应用范围，有效的降低器件的成本。

附图说明

图1为现有的TD-SCDMA/GSM双模移动终端中参考时钟结构示意图；

图2为本发明的实施例中控制石英晶体工作频率的方法流程图；

图3为石英晶体的频率随温度的变化曲线图；

图4为石英晶体的频率随电压的变化曲线图；

图5为本发明的实施例中支持单模终端的石英晶体参考时钟的结构示意图；

图6为本发明的实施例中支持双模终端的石英晶体参考时钟的结构示意图。

具体实施方式