[发明专利]激光二极管装置

权利要求书

1.一种激光二极管装置，包括：

由GaN构成的衬底；

设置于所述衬底的一表面侧上的n型覆层和p型覆层，由包含至少3B族元素中的镓和至少5B族元素中的氮构成的氮化物III-V族化合物半导体构成，并且至少部分包含铝Al；

设置于所述n型覆层和所述p型覆层之间的有源层，由包含至少3B族元素中的铟和镓和至少5B族元素中的氮的氮化物III-V族化合物半导体构成；和

设置于所述衬底和所述n型覆层之间的共掺杂层，由包含至少3B族元素中的镓和至少5B族元素中的氮的III-V族化合物半导体构成，并且被共掺杂作为施主工作的杂质的硅和锗之一和作为受主工作的杂质的镁和锌之一。

2.根据权利要求1的激光二极管装置，其中所述共掺杂层的导电类型是n型。

3.根据权利要求1的激光二极管装置，其中所述共掺杂层的载流子浓度是从1.0×10¹⁸cm^-3至1.0×10¹⁹cm^-3，都包括两端点。

4.根据权利要求1的激光二极管装置，其中所述共掺杂层被设置得相邻于所述n型覆层，并且具有比所述n型覆层的禁带窄的禁带。

5.根据权利要求1的激光二极管装置，其中所述n型覆层由Al_xGa_1-xN(0＜x≤1)混合晶体构成，并且对于给定的铝成份比率x具有不超过裂纹产生临界膜厚度的厚度。

6.根据权利要求1的激光二极管装置，其中所述共掺杂层具有500nm或者更小的厚度。

7.根据权利要求1的激光二极管装置，其中作为所述共掺杂层的作为受主工作的杂质的添加浓度从1.0×10¹⁷cm^-3至4.0×10¹⁹cm^-3，都包括两端点。