[发明专利]光半导体密封用组合物及使用该组合物的光半导体装置有效
申请号: | 201010129863.0 | 申请日: | 2010-03-04 |
公开(公告)号: | CN101824222A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 柏木努;佐藤雅信 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C08L83/07 | 分类号: | C08L83/07;C08L83/05;C08L83/06;H01L33/48;H01L33/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张平元 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 密封 组合 使用 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种加成固化型硅树脂组合物,具体而言,涉及一种树脂组合物,该树脂组合物通过组合直链结构、支链结构及树脂结构的有机聚硅氧烷来获得粘结性(以下称其为“粘性”)小的固化物。该组合物尤其适于发光二极管用(以下,在没有特殊限定的情况下称其为“LED”)内置密封剂。
背景技术
加成固化型硅橡胶组合物由于可形成耐候性、耐热性、硬度、伸长率等橡胶性质优异的固化物而被用于LED的封装密封剂等各种用途。可是,由于固化物表面具有粘性,会导致尘埃的附着,并且,还会引发在用于筛选成品的零件供给器中发生零件之间的粘结等问题。
为了消除粘性,可使用硬质硅树脂,但其固化物存在耐冲击性方面的问题,尤其是在热冲击下容易发生开裂。
对此,已提出了下述方案:利用二者的特性,通过在加成固化型硅橡胶组合物中混合树脂状有机聚硅氧烷来使固化物的强度提高的方法;以及在加成固化型硅橡胶组合物上包覆树脂的方法(专利文献1、2)。然而,前一种方法存在无法充分去除粘性的问题;而后一种方法会因形成双层结构而导致工序变得繁琐,且存在因上层树脂中的成分渗入下层而引起固化物随时间发生变化的问题。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2007-99835号公报
专利文献2:日本特开2007-103494号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明鉴于上述背景而完成,目的在于提供一种固化物表面的粘性得以显著降低的光半导体元件密封剂组合物、以及由该组合物密封的光半导体装置。
解决问题的方法
本发明人为达成上述目的而进行了深入研究,结果发现:利用指定的直链结构、支链结构及树脂结构的有机聚硅氧烷的组合可实现上述问题。即,本发明涉及一种光半导体密封用组合物,其含有下述成分(A)~(D):
(A)有机聚硅氧烷成分:100质量份,
该(A)成分包含下述(A1)成分和(A2)成分,其中(A1)成分/(A2)成分的质量比=50/50~95/5,并且,每100g该(A)成分中含有0.005~0.05摩尔的链烯基,每100g该(A)成分中硅烷醇基的量在0.01摩尔以下,其中,
(A1)为下述式(1)所示的含有链烯基的直链状有机聚硅氧烷,其在25℃下的粘度为10~1,000,000mPa·s,
[化学式1]
式(1)中,R1为链烯基,R2彼此独立地代表不具有脂肪族不饱和键的一价烃基,该一价烃基是取代或非取代的一价烃基,x代表0以上的整数、且x值使式(1)表示的有机聚硅氧烷在25℃下的粘度为10~1,000,000mPa·s,y为1~3的整数,
(A2)为每1分子中含有至少1个SiO2单元和链烯基的有机聚硅氧烷树脂;
(B)有机氢化聚硅氧烷成分:该成分的含量使[(B)成分中的SiH基/(A)成分中的链烯基]的摩尔比满足0.9~4,
该(B)成分包含下述(B1)成分和(B2)成分,且(B1)成分中的SiH基量/(B2)成分中的SiH基量的摩尔比=50/50~90/10,
(B1)为下述式(2)所示的直链状有机氢化聚硅氧烷,其每1分子中具有2个以上的SiH基,
[化学式2]
式(2)中,R4、R5及R6彼此独立地表示碳原子数1~10的一价烃基,p、q分别为0~100的整数,且p+q为3以上的整数,r为0~3的整数,
(B2)是在25℃为液态的支化有机氢化聚硅氧烷;
(C)铂族金属催化剂:有效量;
(D)直链状或环状有机聚硅氧烷:相对于100质量份(A)成分,该直链状或环状有机聚硅氧烷的量为0.01~10质量份,
该直链状或环状有机聚硅氧烷的硅原子数为4~50个,且具有选自键合在硅原子上的链烯基、烷氧基甲硅烷基及环氧基中的至少2种官能团。
此外,本发明涉及使用了上述组合物或其固化物的光半导体装置。
发明的效果
由上述本发明的组合物获得的固化物,因其表面粘性降低、且在光半导体装置的制造工序中因光半导体装置之间的密合或粘着引起的树脂脱离等情况减少,因此可提高生产性。此外,由于无须形成双层结构,因此其工艺时间得以缩短。此外,由于用来承载光半导体的银垫板也具有良好的粘接性,因此,由该组合物密封的光半导体装置对苛刻的可靠性试验显示出耐受性。
附图说明
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