[发明专利]金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件

权利要求书

1.一种用于半导体器件的金属电极形成方法，包括：

在半导体衬底(11)的主表面上形成基底电极(12)，其中所述 基底电极(12)电连接到半导体元件；

在所述基底电极(12)上形成保护膜(13)，并在所述保护膜(13) 中形成开口(13a)，使得所述基底电极(12)从所述开口(13a)暴 露出来；

在所述保护膜(13)上形成金属膜(14)，以覆盖所述保护膜(13) 和所述保护膜(13)的所述开口(13a)；以及

利用切削工具(321，331)切削具有所述金属膜(14)的所述 半导体衬底(11)，使得仅一部分所述金属膜(14)保留在所述保护 膜(13)的所述开口(13a)中，其中所述金属膜(14)的所述部分 提供金属电极(15)，

其中所述切削工具(321，331)包括切削表面(321a，331a)， 所述切削表面具有第一刀刃部分和第二刀刃部分，

其中所述第一刀刃部分设置在所述切削表面(321a，331a)的 第一侧上，而所述第二刀刃部分设置在所述切削表面(321a，331a) 的第二侧上，

其中所述切削表面(321a，331a)的所述第一侧面向所述切削 工具(321，331)的前向，而所述切削表面(321a，331a)的所述 第二侧面向所述切削工具(321，331)的后向，

其中所述切削工具(321，331)沿所述前向移动，而所述后向 与所述前向相反，

其中所述切削工具(321，331)以预定的间距按步进方式移动， 并且

其中以如下方式确定所述间距：所述第一刀刃部分切削所述金 属膜(14)在所述保护膜(13)上的堆叠层；以所述预定间距移动 所述切削工具(321，331)；并且所述第二刀刃部分切削所述保护膜 (13)暴露出来的区域。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中所述第一刀刃部分以具有定义为R的曲率半径的预定弧连 接到所述第二刀刃部分，

其中所述切削工具(321)以定义为d的切削深度切削所述保护 膜(13)，并且

其中定义为P的所述预定间距具有如下关系： 0＜P≤2/3(2Rd-d²)^1/2。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

其中所述第一刀刃部分以第一面和第二面连接到所述第二刀刃 部分，所述第一面和所述第二面中的每一个相对于所述金属膜(14) 的表面都倾斜定义为θ的预定角，

其中所述切削工具(331)以定义为d的切削深度切削所述保护 膜(13)，并且

其中定义为P的所述预定间距具有如下关系：0＜P≤2d/(3tanθ)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，

其中所述保护膜(13)由聚酰亚胺树脂制成，并且

其中所述切削工具(321，331)以等于或小于8μm的切削深 度切削所述保护膜(13)。