[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其包括一透明基板及在透明基板形成的多个发光结构单元，每个发光结构单元包括依次层叠的N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层，P型半导体层表面设置有P型接触电极，N型半导体层表面设置有N型接触电极，其特征在于，该发光结构单元进一步包括一凹陷部，该凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层，该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面，该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个发光结构单元进一步包括一绝缘层，该绝缘层设置在发光结构单元与金属材料相接触的表面上。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该金属材料为铜、金、镍、银、铝其中之一或者它们之间的化合物。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该发光二极管进一步包括一金属电连接层，该金属电连接层将相邻两个发光结构单元的接触电极连接在一起，该金属电连接层与金属材料之间设置有绝缘层。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，每个发光结构单元包括一透明导电层，该透明导电层设置在P型半导体层与P型接触电极之间。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该发光二极管进一步包括多个隔离槽，该多个隔离槽使发光结构单元之间电性隔离。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，该多个发光结构单元为四个串联的发光结构单元。

8.一种发光二极管的制作方法，其包括以下步骤：

提供一个透明基板，在透明基板上依次沉积N型半导体层、活性层及P型半导体层以形成发光结构单元；

在发光结构之间形成隔离槽得到多个发光结构单元，同时在发光结构单元中制作凹陷部，该凹陷部从P型半导体层延伸到N型半导体层，显露出N型半导体层的表面；

在每个发光结构单元的P型半导体层表面和N型半导体层表面分别制作P型接触电极和N型接触电极，然后制作第一绝缘层，该第一绝缘层完全覆盖除P型接触电极和N型接触电极以外的区域，然后制作金属电连接层将多个发光结构单元之间电性连接；

在金属电连接层表面制作第二绝缘层，然后在凹陷部内填入金属材料，且金属材料延伸至覆盖发光结构表面，该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，该金属电连接层用于连接该多个发光结构单元，使发光结构单元之间形成串联的电连接关系。

10.如权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述导热材料以电镀的方法制作在凹陷部内，在电镀之前，首先在绝缘层表面蒸镀一层起镀层，该起镀层为镍、铝、银、铂、钯、钛、金其中之一或它们之间的化合物。