[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201010130286.7 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194679B | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 李强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，该方法包括：
在晶片半导体衬底上形成栅极结构；
在栅极结构的两侧形成具有氧化层-氮化层-氧化层叠层结构的侧壁层；
对晶片表面进行检测，在检测到氧化物杂质缺陷时，对晶片表面进行氢氟 酸处理去除所述氧化物杂质缺陷；
所述形成具有氧化层-氮化层-氧化层叠层结构的侧壁层的方法包括：
在栅极结构的多晶硅层表面，以及半导体衬底表面依次沉积第一氧化层、 氮化层和第二氧化层；
干法刻蚀第一氧化层、氮化层和第二氧化层，保留第一氧化层、氮化层和 第二氧化层侧壁上的厚度，以及保留水平面上的第二氧化层；
湿法刻蚀水平面上的剩余第二氧化层至预定厚度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在氢氟酸处理之后该方法进一 步包括依次采用硫酸处理和氨水处理晶片。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在氢氟酸处理之后该方法进一 步包括采用硫酸处理或者氨水处理晶片。
4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸处理的方法为：
采用浓度为49%的稀氢氟酸DHF与去离子水DIW的比例为100：1；温度 范围控制在22.5～23.5摄氏度；处理时间为5秒。
5.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述硫酸处理的方法为：
采用浓度为98%的硫酸H2SO4与双氧水H2O2的比例为5：1；温度范围控 制在120～130摄氏度；处理时间为10分钟。
6.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述氨水处理的方法为：
氨水NH4OH与H2O2与DIW的比例为1：2：50；温度范围控制在28～32 摄氏度；处理时间为420秒。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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