[发明专利]在封装过程中提高焊点特性的方法无效
| 申请号： | 201010130291.8 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194719A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 蒋瑞华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 过程 提高 特性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在封装过程中提高焊点特性的方法，该方法包括：
在半导体器件上形成图案化的钝化层，裸露半导体器件上的衬垫；
采用物理气相沉积方式在所述衬垫上沉积焊点底层金属层UBM；
在UBM上采用二步电镀方式电镀得到金焊点，其中，第一步电镀方式所采用的电流密度保证电离的金离子垂直电镀在UBM上，第二步电镀方式所采用的电流密度大于第一步电镀方式所采用的电流密度。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一步电镀方式所采用的电流密度为(0.2～0.3)*10-2安培/平方毫米ASD；
所述第二步电镀方式所采用的电流密度为0.3～0.5ASD。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一步电镀方式所电镀得到的金焊点厚度为经过两步电镀方式得到的金焊点厚度的15％～20％。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一步电镀方式所电镀得到的金焊点厚度和钝化层齐平。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述电镀方式电镀得到金焊点的过程为：
将半导体器件放置到具有金属金的电解质溶液中，该电解质溶液是含氰化物或不含氰化物的电解质溶液；
对电解质溶液通入电流后，电解质溶液中的金属金被电离为离子，进行电镀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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