[发明专利]变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池无效
申请号: | 201010131507.2 | 申请日: | 2010-02-26 |
公开(公告)号: | CN101789458A | 公开(公告)日: | 2010-07-28 |
发明(设计)人: | 刘莹 | 申请(专利权)人: | 刘莹 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214213 江苏省宜兴经济开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变带隙 双面 透明 电极 薄膜 太阳能电池 | ||
1.变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,包括透明基片、含有第一光电转换单元的第一子电池单元(1)和含有第二光电转换单元的第二子电池单元(2),其特征在于,
所述第一子电池单元(1)与第二子电池单元(2)中的光电转换单元的带隙不同;
其中向阳面的第一子电池单元(1)的第一光电转换单元用于除吸收波长较短的红光以外的可见光;
背光面的第二子电池单元(2)的第二光电转换单元用于吸收波长较长红光及红外光谱。
2.根据权利要求1所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一子电池单元(1)和第二子电池单元(2)分别位于透明基片两侧。
3.根据权利要求2所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一光电转换单元由非晶硅薄膜、非晶碳硅薄膜、非晶锗硅薄膜、单晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜、纳米硅薄膜、CIS、CIGS、CdTe、非晶HgCdTe中的一种或者几种堆栈构成;
所述第二光电转换单元由非晶硅薄膜、非晶碳硅薄膜、非晶锗硅薄膜、单晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜、纳米硅薄膜、CIS、CIGS、CdTe、非晶HgCdTe中的一种或者几种堆栈构成。
4.根据权利要求2所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一光电转换单元为单结或多结结构;
所述第二光电转换单元为单结或多结结构。
5.根据权利要求2所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明导电极为FTO膜、ITO膜或者ZAO膜中的任意一种。
6.根据权利要求2所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明基片由玻璃、高分子材料、塑料中的任意一种制成。
7.如权利要求1所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一子电池单元(1)和第二子电池单元(2)位于透明基片的一侧,所述第一子电池单元(1)和第二子电池单元(2)之间有绝缘透明薄膜层。
8.根据权利要求7所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述第一光电转换单元由非晶硅薄膜、非晶碳硅薄膜、非晶锗硅薄膜、单晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜、纳米硅薄膜、CIS、CIGS、CdTe、非晶HgCdTe中的一种或者多种堆栈构成;
所述第二光电转换单元由非晶硅薄膜、非晶碳硅薄膜、非晶锗硅薄膜、单晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜、纳米硅薄膜、CIS、CIGS、CdTe、非晶HgCdTe中的一种或者多种堆栈构成。
9.根据权利要求7所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明导电极为FTO膜、ITO膜或者ZAO膜中的任意一种。
10.根据权利要求7所述的变带隙双面透明电极薄膜太阳能电池,其特征在于,所述透明基片由玻璃、高分子材料、塑料中的任意一种制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的