[发明专利]具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺

权利要求书

1.具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，包括下列步骤：

1)提供一衬底；

2)在衬底的顶面形成一分布布拉格反射层；

3)在分布布拉格反射层上形成第一型磊晶层；

4)在第一型磊晶层上形成发光层；

5)在发光层上形成第二型磊晶层；

6)在第二型磊晶层上形成P电极；

7)在衬底的底面形成N电极，构成一LED芯片；

8)采用干蚀刻方法沿上述LED芯片顶面至底面方向以倾斜角度切割其侧面；

9)再用激光对LED芯片的底面进行切割；

10)最后用钻石刀将LED芯片底部的侧面切穿，则在LED芯片的四周形成倾斜面。

2.如权利1所述的具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，其特征在于LED芯片的每个侧面的倾斜角度大于或等于20°、而小于或等于70°。

3.如权利要求1所述的具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，其特征在于：衬底材料选自砷化镓、磷化镓或前述组合。

4.如权利要求1所述的具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，其特征在于：分布布拉格反射层结构由折射率高低交替的堆叠材料层构成。

5.如权利要求1所述的具有倾斜侧面的铝镓铟磷系发光二极管的制作工艺，其特征在于：干蚀刻方法采用感应耦合等离子体蚀刻、反应离子蚀刻或前述的组合。