[发明专利]一种p-n异质结光探测器

权利要求书

1.一种p-n异质结光探测器，其特征在于：它由掺铌钛酸锶单晶基底(1) 和错配层钴氧化合物薄膜(2)组成，错配层钴氧化合物薄膜(2)采用脉冲激光沉 积技术或金属有机沉积技术外延生长在掺铌钛酸锶单晶基底(1)上，在掺铌钛 酸锶单晶基底(1)和错配层钴氧化合物薄膜(2)上各有一个采用热蒸发、磁控溅 射或脉冲激光沉积技术沉积在基底和薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极 引线与电压信号输出端相连接；所述的错配层钴氧化合物薄膜(2)为钙钴氧或 铋锶钴氧薄膜，薄膜的厚度为20nm-200nm。

2.根据权利要求1所述的p-n异质结光探测器，其特征在于：所述的两个 电极为金属Pt、Au、Ag、Al或In制作。

3.根据权利要求2所述的p-n异质结光探测器，其特征在于：所述的电极 引线的一端用导电银胶直接粘在两个电极上或用焊锡焊接在电极上，电极引线 为Au、Ag或Cu的细导线，直径为0.01-0.2mm。

4.根据权利要求3所述的p-n异质结光探测器，其特征在于：两根所述的 电极引线的输出端并联一个阻值为0.1-50Ω的电阻。