[发明专利]一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器无效
| 申请号： | 201010131673.2 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN101826594A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王淑芳;陈景春;傅广生;陈明敬;何立平;于威;李晓苇 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L35/28 | 分类号： | H01L35/28;H01L35/22 |
| 代理公司： | 石家庄汇科专利商标事务所 13115 | 代理人： | 王琪 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 错配层钴 氧化 热电 薄膜 探测器 | ||
1.一种错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：它由斜切的氧化物单晶基片(1)和c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜(2)组成，c轴取向的错配层钴氧化合物热电薄膜(2)采用脉冲激光沉积技术或金属有机沉积技术生长在斜切的氧化物单晶基片(1)上，在薄膜表面有两个用热蒸发、磁控溅射或脉冲激光沉积技术沉积在薄膜表面的电极，两个电极分别通过电极引线与电压信号输出端相连接。
2.根据权利要求1所述的错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：所述的斜切的氧化物单晶基片(1)为c轴取向的单晶铝酸镧(LaAlO3)、钛酸锶(SrTiO3)或宝石(Al2O3)基片，斜切角度θ的范围为0°＜θ≤20°。
3.根据权利要求2所述的错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：所述的错配层钴氧化合物热电薄膜(2)为钙钴氧(Ca3Co4O9)、钠钴氧(NaCo0.5O2)或铋锶钴氧(Bi2Sr2Co2O8)薄膜，薄膜厚度为20nm-2μm。
4.根据权利要求3所述的错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：所述的两个电极之间的间距为3-8mm，电极材料为金属Pt、Au、Ag、Al或In。
5.根据权利要求4所述的错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：所述的电极引线为Au、Ag或Cu材质的细导线，直径为0.01-0.2mm。
6.根据权利要求5所述的错配层钴氧化合物热电薄膜光探测器，其特征在于：所述的两根电极引线的输出端并联一个阻值为0.1-50Ω的电阻。
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