[发明专利]集成电路的制造方法以及在晶片上产生激光标记的装置

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造工艺，且特别涉及一种在晶片上产生辨识码(identification number)的装置。

背景技术

集成电路是采用晶片形态制造，而每一晶片分别包括多个相同的芯片。在集成电路形成之后，这些芯片可经过如芯片切割而分离并经过封装。为了辨识晶片，因此便需要在晶片上标记晶片辨识码(wafer identification(ID)number)。

晶片辨识码的标记区分为两种类型。一般而言，晶片标记是金属膜层形成之前标记于晶片之上。通常，在裸晶晶片之上形成有一氧化物层，而晶片辨识码是通过采用激光融化氧化物层内需要显示晶片辨识码的部分而完成标记。此类型的标记通称为前段工艺标记(front-end-of-line marling，FEOLmarking)。然而，随着在晶片上越来越多的金属层与相对介电层的形成，当今的晶片标记是标记形成于位于金属层上的表面介电层之内。此类型的标记通称为后段工艺标记(back-end-of-line marking，BEOL marking)。

然而，值得注意的是在后段工艺标记之中，某些晶片可能遭遇不清楚晶片标记的问题。此外，也需要值得注意的是，晶片标记的清楚与否是与位于欲标记晶片上的表面膜层的状况有关。举例来说，在采用激光标记方式以在包括厚度为12埃的未掺杂硅玻璃(USG)层与厚度为7000埃的氮化硅(SiN)层之一复合介电膜层之上进行标记时，晶片辨识码将变的不清楚。然而，在标记厚度为6000埃的未经掺杂硅玻璃层时，以及标记具有厚度为4000埃的氮化硅层时，则可得到清楚的晶片辨识码。

通常，具有不清楚晶片辨识码的晶片需要经人工地再次标记。然而，如此的程序可能发生错误操作(mis-operation)而导致晶片毁损。此外，经人工地标记的晶片增长了最后产品抵达客户端所需的产品时间。如此，便需要用于解决前述问题的新方法。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种集成电路的制造方法以及在晶片上产生激光刻印的装置，以解决上述现有问题。

依据一实施例，本发明提供了一种集成电路的制造方法，包括：

测量一晶片的一反射率值；通过该反射率值而决定用于激光标记该晶片的一能量程度；以及发射具有该能量程度的一激光，以在该晶片上产生激光标记。

依据另一实施例，本发明提供了一种集成电路的制造方法，包括：

测量多个试样晶片的多个表面反射率值；以及建立所述多个晶片的所述多个反射率值与用于激光标记所述多个晶片所需的多个能量程度间的一关系。

依据又一实施例，本发明提供了一种集成电路的制造方法，包括：

提供具有不同表面反射率值的多个试样晶片；测量所述多个试样晶片的所述多个表面反射率；找出在所述多个试样晶片上产生清楚标记的所需最小能量程度；建立所述多个晶片的所述多个反射率值与激光标记所述多个晶片的多个能量程度间的一关系；决定一晶片的一反射率；采用该关系并依据该晶片的该反射率值以决定一能量程度；以及发射具有该能量程度的一激光光束于该晶片上，以在该晶片上产生激光标记。

依据一实施例，本发明提供了一种在晶片上产生激光标记的装置，包括：

一激光光束发射装置，用于发射激光光束；一光束发射装置，以发射一光束，其中该光束与该激光光束具有大体相同波长；以及一反射率测量装置，用于测量来自该晶片的该光束的反射率值。

依据又一实施例，本发明提供了一种于晶片上产生激光标记的装置，包括：

一激光光束发射装置；一光束发射装置；一反射率测量装置，以接收来自于该晶片的一反射光并计算一反射率值；一制造工艺单元，用于控制该反射率测量装置；以及一能量调整单元，以接收来自该反射率测量装置的该反射率值，其中该能量调整单元是基于多个晶片的多个反射率值与激光标记所述多个晶片的多个能量程度间的一预定关系而决定一激光光束的一能量程度，以及控制该激光光束发射装置以发射具有该能量程度的一激光光束。

本发明的优点在于降低传输产品至客户的生产周期(cycle time)且由于最佳化了激光能量而降低了激光微粒的飞溅情形。此外，也不需要采用人工激光标记以修复不清楚的晶片辨识码，因而无错误操作的发生。

为让本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1显示了欲标记晶片辨识码的一晶片的剖面图；

图2显示了在晶片上标记辨识码的一装置；以及