[发明专利]一种处理含硅的底部抗反射涂层的方法有效
| 申请号： | 201010131818.9 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102193318A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;安辉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 处理 底部 反射 涂层 方法 | ||
1.一种处理含硅的底部抗反射涂层的方法，所述方法包括对与光刻胶接触的含硅的底部抗反射涂层的表面进行等离子处理以形成界面层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述界面层的厚度小于10nm。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述等离子处理的步骤前，所述方法还包括：
在前端器件层上涂覆一层或多层底部抗反射涂层；
在最上方底部抗反射涂层上涂覆所述含硅的底部抗反射涂层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述等离子处理的步骤后，所述方法还包括：在所述界面层上涂覆光刻胶；对所述光刻胶进行曝光和显影。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时的压力选择在50-300mtorr之间。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时的压力为200mtorr。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时的温度选择在0-30度之间。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时的温度为25度。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理采用的气体从O2、CO2、CF4、HF中选择。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时O2的流量选择在20-100sccm之间。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时所述O2的流量为50sccm。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理的时间选择在10-50s之间。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理的时间为30s。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述等离子处理时气体的中心流量百分比可以选择在50％-100％之间。
15.一种根据如权利要求1所述的方法制造的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
16.一种根据如权利要求1所述的方法制造的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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