[发明专利]半导体工艺机台参数优化调整的方法

权利要求书

1.一种半导体工艺机台参数优化调整的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定所述半导体工艺环境中的参数最优机台；

令所述半导体工艺环境中的机台的参数与所述参数最优机台的参数匹配。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据确定所述半导体工艺环境中的参数最优机台，包括以下步骤：

确定关键工序节点；

确定关键工序参数；

收集与所述关键工序参数有关的所述半导体工艺环境中的各机台的参数的统计数据，所述统计数据包括：样本个数、样本方差、样本均值；

定义USL和LSL值，所述USL为所述关键工序参数上限值，所述LSL为所述关键工序参数下限值；

计算所述半导体工艺环境中的各机台的工序能力指数；

将所述工序能力指数最大的机台定义为所述参数最优机台。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述工序能力指数TCI为：

TCI=USL-LSL6STool(1-Target-mUSL+LSL2)]]>

其中，Target为所述机台的参数的目标值，m为所述机台的参数的样本均值，S_Tool为所述机台的参数的样本标准偏差，

其中，S²_Tool＝S²_{chamber-to-chamber}+S²_{wafer-to-wafer}+S²_within-wafer，

其中，所述S²_{chamber-to-chamber}为所述机台的反应室的参数的样本方差，所述S²_{wafer-to-wafer}为晶圆内芯片间的参数的样本方差，所述S²_within-wafer为良率的参数的样本方差。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述令所述半导体工艺环境中的机台的参数与所述参数最优机台的参数匹配，包括以下步骤：

检查所述半导体工艺环境中的机台的参数的统计数据是否与所述参数最优机台的参数的统计数据匹配；

根据所述检查结果调整进行检查的机台的参数。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述匹配根据以下步骤判定：

设定所述半导体工艺环境中的机台的参数的样本均值偏移判定标准和样本标准偏差偏移判定标准；

将所述半导体工艺环境中的机台的参数的样本标准偏差和样本均值相应与所述参数最优机台的样本标准偏差和样本均值进行比较；

如果所述半导体工艺环境中的机台的参数的样本标准偏差与所述参数最优机台的样本标准偏差的偏移大于所述样本标准偏差偏移判定标准，或所述半导体工艺环境中的机台的参数的样本均值与所述参数最优机台的样本均值的偏移大于所述样本均值偏移判定标准，则将所述半导体工艺环境中的机台的参数判定为不匹配，

如果所述半导体工艺环境中的机台的参数的样本标准偏差和样本均值相应与所述参数最优机台的样本标准偏差和样本均值的偏移均相应小于所述样本均值偏移判定标准和样本标准偏差偏移判定标准，则将所述半导体工艺环境中的机台的参数判定为匹配。