[发明专利]图像传感器和摄像设备有效
申请号: | 201010132208.0 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN101841666A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 柳井敏和 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H04N5/335 | 分类号: | H04N5/335;H04N5/225;H04N5/217 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;陈立航 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 摄像 设备 | ||
1.一种图像传感器,包括:
有效像素,其具有用于将光信号转换成电荷的光电转换单元、用于将电荷转换成电压的电荷电压转换单元、以及用于放大电荷电压转换单元的电压的像素放大器;以及
黑电平基准像素,其具有电荷电压转换单元和像素放大器,并且被遮光,
其中,所述有效像素的像素放大器和所述黑电平基准像素的像素放大器各自包括连接至相应的电荷电压转换单元以形成源极跟随器电路的至少一个晶体管,并且所述有效像素和所述黑电平基准像素在像素放大器的晶体管的栅极宽度和栅极长度至少之一上不同。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度大于所述有效像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极长度大于所述有效像素的像素放大器的晶体管的栅极长度。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述黑电平基准像素包括用于复位电荷电压转换单元的复位晶体管。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述黑电平基准像素不包括光电转换单元。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述黑电平基准像素包括用于控制从光电转换单元到电荷电压转换单元的电荷传送的传送晶体管。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其特征在于,所述有效像素包括用于控制从光电转换单元到电荷电压转换单元的电荷传送的传送晶体管,并且所述黑电平基准像素包括传送晶体管。
8.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述黑电平基准像素包括第一黑电平基准像素、和与所述第一黑电平基准像素不同的第二黑电平基准像素。
9.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述第二黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度大于所述有效像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度,或者所述第二黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极长度大于所述有效像素的像素放大器的晶体管的栅极长度。
10.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述第二黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度大于所述第一黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度,或者所述第二黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极长度大于所述第一黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极长度。
11.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述第一黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度大于所述有效像素的像素放大器的晶体管的栅极宽度,或者所述第一黑电平基准像素的像素放大器的晶体管的栅极长度大于所述有效像素的像素放大器的晶体管的栅极长度。
12.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述第二黑电平基准像素包括用于复位电荷电压转换单元的复位晶体管。
13.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述第二黑电平基准像素不包括光电转换单元。
14.根据权利要求8所述的图像传感器,其特征在于,所述第二黑电平基准像素包括用于控制从光电转换单元到电荷电压转换单元的电荷传送的传送晶体管。
15.根据权利要求14所述的图像传感器,其特征在于,所述有效像素包括用于控制从光电转换单元到电荷电压转换单元的电荷传送的传送晶体管,并且所述第二黑电平基准像素包括传送晶体管。
16.一种摄像设备,包括:
图像传感器,其包括有效像素和黑电平基准像素,所述有效像素具有用于将光信号转换成电荷的光电转换单元、用于将电荷转换成电压的电荷电压转换单元、以及用于放大电荷电压转换单元的电压的像素放大器,并且所述黑电平基准像素具有电荷电压转换单元和像素放大器,并且被遮光;以及
校正电路,其通过使用从所述黑电平基准像素输出的黑电平基准信号来校正从所述有效像素输出的图像信号,
其中,所述有效像素的像素放大器和所述黑电平基准像素的像素放大器各自包括连接至相应的电荷电压转换单元以形成源极跟随器电路的至少一个晶体管,并且所述有效像素和所述黑电平基准像素在像素放大器的晶体管的栅极宽度和栅极长度至少之一上不同。
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