[发明专利]芯片上电容

权利要求书

1.一种电容，其特征在于，其包括：

第一导电层；

与第一导电层平行间隔设置的第二导电层；

与第一导电层电性连接的向第二导电层延伸的多个平行间隔设置的第一导电部；

与第二导电层电性连接的向第一导电层延伸的多个平行间隔设置的第二导电部，其中各第二导电部与各第一导电部平行间隔设置；其中

第一导电部和第二导电部形成一个阵列，第一导电部和第二导电部在所述阵列的一个边缘方向上交替排布，第一导电部和第二导电部在所述阵列的另一个边缘方向上也交替排布。

2.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，第一导电部和第一导电层电性共同形成所述电容的一个电极，第二导电部和第二导电层共同形成所述电容的另一个电极。

3.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，第一导电部和第二导电部均为柱状。

4.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，第一导电部与第一导电层基本垂直，第二导电部与第二导电层基本垂直。

5.根据权利要求1-4任一项所述的电容，其特征在于，每个导电部都形成于至少三个层上。

6.根据权利要求5所述的电容，其特征在于，所述电容为芯片上的电容，第一导电层与第二导电层为芯片上的不同层。

7.根据权利要求6所述的电容，其特征在于，第一导电层为一金属层，第二导电层为另一金属层。

8.根据权利要求6所述的电容，其特征在于，所述阵列的一个边缘方向与所述阵列的另一个边缘方向垂直。

9.一种芯片上电容，所述芯片包括有多个层，其特征在于，其包括：

相互平行间隔设置的多个第一导电柱，每个第一导电柱穿越至少三个层，第一导电柱电性连接在一起形成所述电容的一个电极；

相互平行间隔设置的且与第一导电柱平行间隔设置的多个第二导电柱，每个第二导电柱穿越至少三个层，第二导电柱电性连接在一起形成所述电容的另一个电极；

其中第一导电柱和第二导电柱形成一个阵列，第一导电柱和第二导电柱在所述阵列的横向上交替排布，第一导电柱和第二导电柱在所述阵列的纵向上也交替排布。

10.根据权利要求9所述的电容，其特征在于，其还包括第一导电层和第二导电层，第一导电层与第一导电部电性连接，第二导电层与第二导电部电性连接。