[发明专利]无基材压敏粘合片、其生产方法及使用其的研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片保护用无基材压敏粘合片、使用该压敏粘合片研磨半导体晶片背面的方法和生产该压敏粘合片的方法，在使用该半导体晶片保护用无基材压敏粘合片的情况下，即使在将半导体晶片研磨至超薄水平后或者在研磨大直径晶片后，也几乎不产生半导体晶片的翘曲。

背景技术

近年来，随着各种电子器件朝向小型化的趋势以及随着IC卡的普及，期望电子部件例如半导体晶片以及其它部件更进一步薄型化。因此，需要使至今仍具有约350μm厚度的半导体晶片更加薄型化，从而具有至多约50μm的厚度。为了提高生产性，目前正研究进一步增大半导体晶片的直径。

通常，在生产半导体晶片时，将电路图案形成于晶片的正面，然后将晶片的背面用磨具(grinder)等研磨以具有预定的厚度。在此阶段，出于保护晶片正面的目的，通常在将压敏粘合片粘贴至晶片正面时研磨晶片的背面。此外，在将晶片加工以薄型化后，在将压敏粘合片保持粘贴至晶片正面的同时，将晶片转移至下一步骤。

然而，在晶片正面用压敏粘合片保护的同时将晶片背面研磨至超薄水平的情况下，经研磨的晶片可能经常翘曲。翘曲的晶片存在的问题在于，在其输送期间或在由其剥离压敏粘合片时晶片经常破裂。特别地，在研磨经常用于本领域的具有直径8英寸或12英寸的大尺寸晶片时或者在研磨用于IC卡等的薄晶片时，翘曲的问题很严重。

认为研磨后晶片的翘曲可能大大地受到保留在粘贴至晶片的压敏粘合片中的残余应力的影响。当超薄地研磨具有粘贴至其上的压敏粘合片的晶片时，认为残余应力可能高于晶片的强度，并且晶片可能由于除去残余应力的力而翘曲。因此，为了降低残余应力，压敏粘合片的构造以各种方式得到改善或改进，并提出不产生残余应力的构造。例如，专利文献1提及半导体晶片保护用压敏粘合片，其包括基材膜和压敏粘合剂层，其中基材膜的拉伸弹性模量为0.6GPa。

专利文献2提及用于加工半导体晶片的压敏粘合片，其包括基材和在所述基材上形成的压敏粘合剂层，其中压敏粘合片在其拉伸试验中在伸长率为10％时在1分钟后的应力-松弛率为至少40％。

然而，这些压敏粘合片的性能对于防止在超薄地研磨半导体晶片时或在研磨大直径晶片时所研磨晶片的翘曲并非总是最佳。因此，期望提供半导体晶片保护用压敏粘合片，该压敏粘合片能够更有效地防止所研磨晶片的翘曲。

随着近来本领域朝向超薄地研磨晶片的趋势，还期望防止在研磨晶片时晶片由于应力而破裂以及防止晶片边缘断裂。

此外，随着近年来朝向高密度、小型化、高功能半导体封装的趋势，芯片堆叠技术得到促进，其中认为超薄化晶片的芯片之间的厚度波动是有问题的。芯片之间的厚度波动是因为晶片研磨时保护图案的压敏粘合片的厚度波动原样直接转移至研磨的芯片，因此压敏粘合片的厚度精度在本领域中是重要的课题。

专利文献1：JP-A-2000-212524

专利文献2：JP-A-2000-150432

发明内容

本发明的目的是提供半导体晶片保护用无基材压敏粘合片，以及提供使用压敏粘合片研磨半导体晶片背面的方法和生产压敏粘合片的方法，该压敏粘合片即使当用于超薄地研磨半导体晶片或当用于研磨大直径半导体晶片时，也能够良好地保护半导体晶片以致不翘曲，其在研磨时应力分散性优良，能够防止半导体晶片破裂或其边缘断裂，和能够确保研磨后晶片厚度的高精度。

即，本发明提供半导体晶片保护用无基材压敏粘合片，该压敏粘合片在研磨半导体晶片背面时粘贴至半导体晶片的正面，该压敏粘合片由压敏粘合剂层组成，其中压敏粘合剂层由UV固化型压敏粘合剂形成，该UV固化型压敏粘合剂包含主要由丙烯酸类单体可聚合化合物形成的聚合物，粘贴至半导体晶片正面的压敏粘合剂层表面的压敏粘合力大于其相反面的压敏粘合力；该压敏粘合剂层具有0.01MPa至500MPa的初始弹性模量。