[发明专利]一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法无效

专利信息
申请号: 201010133574.8 申请日: 2010-03-26
公开(公告)号: CN101796923A 公开(公告)日: 2010-08-11
发明(设计)人: 张超;荣松;楼楠男;鲁守臣 申请(专利权)人: 浙江传化生物技术有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高
地址: 311123 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 竹芋 快速 繁殖 方法
【权利要求书】:

1.一种栉花竹芋的组培快速繁殖方法,其特征在于包括如下步骤:

1)外植体的选择与消毒:取栉花竹芋新生地下侧芽为外植体,剥去展开的叶片和叶鞘,用水冲洗干净,切除基部木质化组织,将侧芽切成1.0~1.5cm的幼芽,用水冲洗20~30min,在无菌条件下用70%酒精消毒20~30s,再用0.1%升汞消毒12~16min,无菌水冲洗3~5次,放入瓶中备用;

2)幼芽启动培养:在无菌操作台上,从瓶中取出步骤1)中的幼芽,剥去与药液接触而受伤的最外层苞叶,接种于幼芽启动培养基上进行启动培养,培养周期为28~35d,培养温度为23~27℃,光照时间为12~16h/d,光照强度为2000~3000lux;

3)芽增殖培养:将步骤2)中1.0~1.5cm的幼芽切下,分成单株转接到芽增殖培养基中进行增殖培养,增殖继代周期为28~35d,培养温度为23~27℃,光照时间为12~16h/d,光照强度为2000~3000lux;

4)生根培养:将步骤3)中2.5~3.5cm的丛生芽切下,接种到生根培养基上进行生根培养,培养周期为30~35d,培养温度为23~27℃,光照时间为12~16h/d,光照强度为2000~3000lux;

5)植株的驯化与移栽:将步骤4)中得到的完整小苗连瓶置于自然光照下闭口炼苗,10~15d后取出,洗净附着的培养基,置于1000倍多菌灵溶液中浸泡20~30s,然后移栽于体积比为5∶1的泥炭土和蛭石的混合基质中,喷雾保湿80%~90%,遮荫75%~85%,保温20~25℃培养。

2.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法,其特征在于:所述的步骤2)中的幼芽启动培养基为MS+6-BA 3.0~5.0mg/l+NAA 0.1~0.3mg/l,其中:MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962,6-BA为6-苄基腺嘌呤,NAA为萘乙酸。

3.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法,其特征在于:所述的步骤3)中的芽增殖培养基为MS+6-BA 2.0~3.5mg/l+NAA 0.2~0.5mg/l,其中:MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962,6-BA为6-苄基腺嘌呤,NAA为萘乙酸。

4.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法,其特征在于:所述的步骤4)中的生根培养基为1/2MS+NAA 0.1~0.3mg/l+活性炭200~600mg/l,其中:MS为常规基本培养基Murashige&Skoog 1962,将该常规基本培养基中的大量元素浓度减半得到1/2MS,NAA为萘乙酸。

5.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法,其特征在于:所述的幼芽启动培养基、芽增殖培养基、生根培养基中均加入6.0~8.0g/l的琼脂和20~30g/l的白砂糖。

6.根据权利要求1所述的一种栉花竹芋组培快速繁殖方法,其特征在于:所述的芽启动培养基、芽增殖培养基和生根培养基的pH值均为5.6~5.8。

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