[发明专利]一种用于制备显示器的衬底及其制备方法

权利要求书

1.一种制备用于显示器的衬底的方法，包括如下步骤：

a)在衬底的一个表面上制备一层1-5微米厚的第一导电类型的第一非晶 硅薄膜；

b)将该第一导电类型的第一非晶硅薄膜晶化成适用于太阳能电池的第一 多晶硅薄膜；

c)将该第一导电类型的第一多晶硅薄膜的一部分掺杂成第二导电类型， 由此形成具有PN结的第一多晶硅薄膜层；

d)在所述衬底的另一个表面上制备一层阻挡层；

e)在该阻挡层上制备一层30-100纳米厚的第二非晶硅层；

f)将该第二非晶硅层晶化成适用于显示器的第二多晶硅薄膜层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所述第一非晶硅薄膜 厚度为3微米，并且采用PECVD、LPCVD或HW-CVD方法获得。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于采用激光培烧法、快 速热处理法或金属诱导法来实行晶化步骤。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述PN结是在 800-850℃温度下经过10-45分钟的磷扩散掺杂来完成。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述阻挡层为500nm 的二氧化硅或氮化硅，并且采用PECVD、LPCVD、HW-CVD或者溅射方法来沉 积。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于所述第二非晶硅层厚 度为45纳米，并且采用PECVD、LPCVD、HW-CVD或者溅射方法来沉积。