[发明专利]陶瓷镀铜基板制造方法及其结构无效
申请号: | 201010134056.8 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102208352A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 胡泉凌;陈誉尉;林舜天;蔡镇隆 | 申请(专利权)人: | 佑每佑科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498;H01L23/15 |
代理公司: | 北京高默克知识产权代理有限公司 11263 | 代理人: | 陆式敬 |
地址: | 塞舌尔共和国马埃岛柏*** | 国省代码: | 塞舌尔;SC |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 镀铜 制造 方法 及其 结构 | ||
1.一种陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于包含以下步骤:
选定一陶瓷基板;
利用溅镀制程在上述陶瓷基表面形成一镍金属层;
将一铜金属层以镀膜方式成型于上述镍金属层上;
应用压膜、曝光显影与蚀刻制程等方式来形成线路图案;以及
将铜金属层上的抗蚀刻干膜剥除形成一陶瓷镀铜基板。
2.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述陶瓷基板预先进行贯穿孔处理。
3.根据权利要求2所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:经由贯穿孔处理后的陶瓷基板贯穿孔于溅镀制程中形成一镀通孔。
4.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述铜金属层表面进一步设有一由其它抗氧化金属以镀膜方式形成的金属防护层。
5.根据权利要求4所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述金属防护层是由化学镍层混合化学金层、化学银层、锡或锡合金层的其中一种所构成。
6.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述铜金属层于尚未进行压膜、曝光显影与蚀刻制程等方式之前,先行镀膜一银金属层,再以压膜、曝光显影与蚀刻制程等方式将镍金属层、铜金属层与银金属层共同蚀刻成型来形成线路图案。
7.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述镍金属层设为一纯镍层或是镍合金层的其中一种。
8.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述镀膜方式可以是溅镀、蒸镀、电铸、电镀或化学电镀法的单一种加工法,也可以是其中两种或两种以上先后使用的加工法。
9.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述陶瓷基板为氧化铝、氮化铝、碳化硅、氧化铍的其中一种陶瓷材料。
10.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述蚀刻制程将镍金属层与铜金属层共同蚀刻成型。
11.根据权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法,其特征在于:所述溅镀制程为陶瓷基板单面溅镀或陶瓷基板双面溅镀的其中一种。
12.一种应用如权利要求1所述陶瓷镀铜基板制造方法所制成的陶瓷镀铜基板,其特征在于:其结构包含:
一陶瓷基板;
一镍金属层,溅镀于上述陶瓷基板表面;
一铜金属层,设于上述镍金属层表面;以及
其中,上述镍金属层与铜金属层具有一共同蚀刻成型的线路图案。
13.根据权利要求12所述陶瓷镀铜基板,其特征在于:所述陶瓷基板具有复数个贯穿孔,而上述镍金属层与铜金属层于上述贯穿孔壁上形成镀通孔。
14.根据权利要求13所述陶瓷镀铜基板,其特征在于:所述铜金属层表面设置一由其它抗氧化金属构成的金属防护层。
15.根据权利要求12所述陶瓷镀铜基板,其特征在于:所述铜金属层表面进一步设置一银金属层,上述银金属层具有一与上述镍金属层与铜金属层共同蚀刻成型的线路图案。
16.根据权利要求12所述陶瓷镀铜基板,其特征在于:所述镍金属层设为一纯镍层或是镍合金层的其中一种。
17.根据权利要求12所述陶瓷镀铜基板,其特征在于:所述陶瓷镀铜基板应用于发光二极管散热基板及致冷器基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造