[发明专利]多晶硅片制绒方法

权利要求书

1.一种多晶硅片制绒方法，其包括以下步骤：酸制绒，稀碱洗，去除离子及钝化，其特征在于：所述酸制绒包括依次实施的低温高浓度酸制绒和常温低浓度酸制绒两个步骤，二步酸制绒所用酸性处理液均为硝酸、氢氟酸和纯水的混合酸溶液。

2.如权利要求1所述的多晶硅片制绒方法，其特征在于：在低温高浓度酸制绒过程中，所用酸性处理液是质量分数为55％-65％的硝酸、质量分数为40％-55％的氢氟酸和纯水的混合酸溶液，其中，硝酸(HNO₃)、氢氟酸(HF)和纯水(H₂O)的体积分数分别为40％-60％，10％-25％，15％-50％，将多晶硅片放入上述混合酸溶液中，并通入0.1-1.0m³/h氮气进行扰动，在液温-10℃-20℃，压力0.1Mpa，循环冷却条件下腐蚀20秒-240秒，清除多晶硅片表面的机械损伤层，并实现初步制绒。

3.如权利要求1所述的多晶硅片制绒方法，其特征在于：在常温低浓度酸制绒过程中，所用酸性处理液是质量分数为55％-65％的硝酸、质量分数为40％-55％的氢氟酸与纯水的混合酸溶液，其中硝酸(HNO₃)、氢氟酸(HF)和纯水(H₂O)的体积分数分别为10％-20％、1％-8％和72％-89％，将多晶硅片放入上述混合酸溶液中，并通入0.1-1.0m³/h氮气进行扰动，在液温为室温，压力为0.1Mpa的条件下腐蚀100秒-360秒，对多晶硅片表面进行强化制绒。

4.如权利要求2所述的多晶硅片制绒方法，其特征在于：在所述酸性处理液中，硝酸(HNO₃)、氢氟酸(HF)和纯水(H₂O)的体积分数分别为46.5％、18.6％、34.9％，将多晶硅片放上述混合酸溶液中，向混合酸溶液中通入0.2m³/h的氮气进行扰动，在液温15℃，压力为0.1Mpa，循环冷却条件下，腐蚀80秒。

5.如权利要求2所述的多晶硅片制绒方法，其特征在于：在所述酸性处理液中，硝酸(HNO₃)、氢氟酸(HF)和纯水(H₂O)的体积分数分别为56.9％、20.3％，、22.8％，将多晶硅片放上述混合酸溶液中，向混合酸溶液中通入0.1m³/h的氮气进行扰动，在液温8℃，压力为0.1Mpa，循环冷却条件腐蚀50秒。

6.如权利要求3所述的多晶硅片制绒方法，其特征在于：在所述酸性处理液中，硝酸(HNO₃)、氢氟酸(HF)和纯水(H₂O)的体积分数分别为18.2％、6.5％、75.3％，在室温、0.1MPa、通入0.5m³/h的氮气进行扰动条件下，腐蚀制绒120秒。

7.如权利要求3所述的多晶硅片制绒方法，其特征在于：在所述酸性处理液中，硝酸(HNO₃)、氢氟酸(HF)和纯水(H₂O)的体积分数分别为15.5％、5.5％、79％，在室温、0.1MPa、通入0.8m³/h氮气进行扰动条件下，腐蚀制绒150秒。