[发明专利]半导体结构无效
| 申请号： | 201010134800.4 | 申请日： | 2010-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN102194803A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 沈更新 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/485;H01L23/34;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：
具有一封装阵列的一基板，其中所述封装阵列具有多个接垫及一保护层，这些接垫是暴露于所述保护层之外并以阵列方式排列；
一非导电层覆盖所述基板及所述封装阵列，具有多个通孔，以暴露出这些接垫；
多个芯片，借助所述非导电层黏结至所述基板的所述封装阵列上，其中各所述芯片包含一有源面、多个焊垫及多个复合凸块，这些焊垫形成于所述有源面上，这些复合凸块形成于这些焊垫上，且各所述复合凸块对应各所述通孔电性连接至各所述接垫；
一封胶材覆盖所述基板上的这些芯片；以及
一金属板位于这些芯片的所述封胶材上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各所述复合凸块是由一结线凸块组成。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，各所述复合凸块还包含：
一下金属层；
一第一导体层位于所述下金属层上；以及
一第二导体层位于所述第一导体层上。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导体层的材料是选自由下列材料所组成的一群组：金、铜、银、锡、锌、铟及其组合。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导体层的材料是选自由下列材料所组成的一群组：铜、镍、铝、锌及其组合。
6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述复合凸块还包含：
一覆盖导体层，覆盖所述第二导体层、所述第一导体层以及所述下金属层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述覆盖导体层的材料是金。
8.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，各所述复合凸块还包含：一阻障层，位于所述第一导体层与所述第二导体层间，所述阻障层的材料为镍。
9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述封装阵列的各行、列数不小于2。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述非导电层黏结至所述基板后为一半固化的胶层。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述封胶材是预先形成于所述金属板上。
12.如请求1所述的半导体结构，其特征在于，所述金属板上具有多个图案化开孔。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述金属板上的这些开孔是一网状排列。
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