[发明专利]发光元件和使用该元件的发光装置有效
申请号: | 201010135303.6 | 申请日: | 2005-12-05 |
公开(公告)号: | CN101894917A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 坂田淳一郎;池田寿雄;川上祥子 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李进;韦欣华 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 使用 装置 | ||
1.一种发光元件,包括:
一对电极;和
在这对电极之间形成的第一层、第二层和第三层,
其中第一到第三层中的至少一个同时包括具有150℃或更大的玻璃化转变温度的有机化合物,和金属氧化物。
2.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物的玻璃化转变温度为160℃至300℃。
3.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物由N,N’-二苯基联苯胺与2-溴-螺-9,9’-双芴或2-溴-2’,7’-二烷基-螺-9,9’-双芴的偶合反应获得。
4.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物由N,N’-二苯基联苯胺与2-溴-螺-9,9’-双芴的偶合反应获得。
5.根据权利要求1的发光元件,其中第一到第三层中的至少一个产生空穴。
6.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物充当空穴输送材料。
7.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物具有180℃至400℃的熔点。
8.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物具有螺环和三苯胺骨架。
9.根据权利要求1的发光元件,其中所述有机化合物是由通式(1)表示的联苯胺衍生物,
其中R1表示氢或具有1到4个碳原子的烷基基团。
10.根据权利要求1的发光元件,其中有机化合物是由结构式(2)表示的联苯胺衍生物,
11.根据权利要求1的发光元件,其中金属氧化物选自钒氧化物、钼氧化物、铌氧化物、铼氧化物、钨氧化物、钌氧化物、钛氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物和钽氧化物。
12.一种发光装置,包括:
包括杂质区的半导体膜;
连接到该杂质区的第一电极;
与第一电极相对的第二电极;和
在第一电极和第二电极之间形成的许多层,
其中所述许多层中的至少一个同时包括具有150℃或更大的玻璃化转变温度的有机化合物,和金属氧化物。
13.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物的玻璃化转变温度为160℃至300℃。
14.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物由N,N’-二苯基联苯胺与2-溴-螺-9,9’-双芴或2-溴-2’,7’-二烷基-螺-9,9’-双芴的偶合反应获得。
15.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物由N,N’-二苯基联苯胺与2-溴-螺-9,9’-双芴的偶合反应获得。
16.根据权利要求12的发光装置,其中所述许多层中的至少一个产生空穴。
17.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物充当空穴输送材料。
18.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物具有180℃至400℃的熔点。
19.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物具有螺环和三苯胺骨架。
20.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物是由通式(1)表示的联苯胺衍生物,
其中R1表示氢或具有1到4个碳原子的烷基基团。
21.根据权利要求12的发光装置,其中所述有机化合物是由结构式(2)表示的联苯胺衍生物,
22.根据权利要求12的发光装置,其中所述金属氧化物选自钒氧化物、钼氧化物、铌氧化物、铼氧化物、钨氧化物、钌氧化物、钛氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物和钽氧化物。
23.一种发光元件,包括:
一对电极;和
在这对电极之间形成的有机化合物和金属氧化物,
其中该有机化合物由N,N’-二苯基联苯胺与2-溴-螺-9,9’-双芴或2-溴-2’,7’-二烷基-螺-9,9’-双芴的偶合反应获得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010135303.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择