[发明专利]一种半导体器件

说明书

分案申请

本申请是申请号为“2005100734631”，申请日为“2005年5月30日”，发明名称为“一种半导体器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，并且更具体地涉及一种在应用于半导体器件的小型化时有效的技术。

背景技术

在常规的集成电路组件(半导体器件)中，滤波器件被耦合到电源线和地线的至少任意一个上，该电源线用于向封装在管壳中的集成电路供电，该地线用于减少由集成电路引起的电磁干扰。在实施例中，在管壳中的腔内或腔附近处，多个滤波电容被耦合在电源线和地线之间(参见例如专利文献1)。

[专利文献1]日本未审专利公开No.Hei 11(1999)-312776(图2)

发明内容

作为其中布置公共引线以设法克服EMI等的半导体器件的一个例子，已知一种结构，其中环形公共引线布置在半导体芯片和连接焊盘之间，以用作电源线和地线，例如上述专利文献1中所示的结构。特别地，关于其共享使用的用作GND或电源线的环形公共引线，执行导线键合。

在具有这种结构的半导体器件中，公共引线被所有的GND和电源线所共享，从而发生由公共阻抗的出现所引起的噪声问题。

在布置环形公共引线时，作为外部端子的凸起不能设置在芯片底部，从而也发生半导体器件的主体按比例增大的问题。

因此，本发明的一个目的是提供一种能被小型化的半导体器件。

本发明的另一个目的是提供一种其特性能被改进的半导体器件。

由本说明书和附图的描述，本发明的以上及其他目的和新颖特征将变得显而易见。

将给出本申请中公开的本发明的代表性方面的概要的简要描述。

特别地，本发明的一个方面在于一种半导体器件，包括：半导体芯片，包括主表面、与所述主表面相对的背表面、安置在所述主表面上方的多个焊盘以及安置在所述主表面上方的多个低噪声放大器，所述多个焊盘包括第一焊盘和第二焊盘，所述多个低噪声放大器包括第一低噪声放大器和第二低噪声放大器用于对输入的信号进行放大，所述第一焊盘和所述第二焊盘分别电连接到所述第一低噪声放大器和所述第二低噪声放大器；布线衬底，包括主表面、与所述主表面相对的背表面、安置在所述布线衬底的所述主表面外围部分上方的多个键合电极，所述多个键合电极包括第一键合电极、第二键合电极、第一GND键合电极、第二GND键合电极以及第三GND键合电极；以及多个外部端子，安置在所述布线衬底的所述背表面上方并且与所述多个键合电极电连接；其中所述半导体芯片安装在所述布线衬底的所述主表面上方，而所述半导体芯片的所述第一焊盘和所述第二焊盘分别通过第一导线和第二导线电连接到所述布线衬底的所述第一键合电极和所述第二键合电极，其中所述第一键合电极和所述第二键合电极布置在所述第一GND键合电极和所述第二GND键合电极之间，而所述第三GND键合电极布置在所述第一键合电极和所述第二键合电极之间，其中所述布线衬底还包括第一公共导体图案和第二公共导体图案，其布置在所述布线衬底的主表面上方，其中所述第一公共导体图案将所述第一GND键合电极和所述第二GND键合电极相互电连接，使得在平面视图中所述第一公共导体图案包围所述第一键合电极和所述第二键合电极，其中所述第二公共导体图案将所述第一公共导体图案和所述第三GND键合电极相互电连接，使得在平面视图中所述第二公共导体图案安置在所述第一键合电极和所述第二键合电极之间。以下对通过在本申请中公开的本发明的代表性方面可获得的效果进行简单描述。

因为用于向在芯片中的第一电路部分供给GND电位的第一公共导体部分和用于向在芯片中的第二电路部分供给GND电位的第二公共导体部分设置在布线衬底上方，并且第一和第二公共导体部分彼此分开，所以在使每一个电路块具有在其中使用的公共GND的同时，可以消除公共阻抗。因此，GND的共享使用使半导体器件小型化。通过对应于单独的电路块，进一步使GND分开，可以减小公共阻抗以及改进半导体器件的特性。

附图说明

图1是表示根据本发明第一实施例的半导体器件结构的一个例子的立体图；

图2是表示图1中所示半导体器件的背表面上的端子排列的一个例子的立体图；

图3是表示在图1中所示半导体器件上安装的半导体芯片中的电路块结构的一个例子以及其与键合电极的连接情形的一个例子的平面图；

图4是表示在图1中所示半导体器件中结合的布线衬底的顶表面上，布线层中的公共GND图形的一个例子的平面图；