[发明专利]一种超薄芯片的封装方法以及封装体

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体器件封装测试领域，尤其涉及一种超薄芯片的封装方法以及封装体。

【背景技术】

随着电子工业的迅速发展，小型的、轻薄的封装成为电子器件的发展趋势。这种封装需要尺寸非常小并且非常薄的芯片。然而，这些器件并没有足够的空间去放置越来越小尺寸的芯片，因此必须要采用更小的芯片进行封装才能够保证器件的封装可靠性。

现有技术中的封装工艺通常包括：背面研磨，背面金属化，晶圆贴装，晶圆切割，贴片，打线，注塑，以及分割等步骤。对于小尺寸芯片的封装而言，由于芯片的厚度也相应减薄，因此在背面金属化的步骤中，背金属层和晶圆之间的残余应力会十分明显，这一残余应力会导致晶圆的翘曲现象变得比厚晶圆严重的多，而发生严重翘曲的晶圆在后续进行贴装的步骤时极容易发生碎裂。并且现有技术中的工艺在对超薄芯片实施贴片和注塑的步骤中容易引起引线框架在高温下的变形(对于共晶贴片工艺而言)或者树脂溢出(对于环氧树脂贴片工艺而言)。无论上述哪种现象都是封装过程中不希望看到的。因此需要一种新的工艺替代现有的常用封装工艺对超薄芯片进行封装，已克服上述问题。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是，提供一种超薄芯片的封装方法，能够避免现有技术中由于被封装的芯片变薄而引起的诸如晶圆翘曲、引线框架变形以及树脂溢出等问题，从而获得一种超薄的封装体。

为了解决上述问题，本发明提供了一种超薄芯片的封装方法，包括如下步骤：提供一晶圆，所述晶圆表面具有多个待封装的芯片结构；将晶圆的背面减薄；在晶圆背面粘贴一双面具有粘性的导电薄膜；将贴膜完毕的晶圆切割成独立的芯片；将切割后的背面带有导电薄膜的芯片粘贴在引线框架上。

作为可选的技术方案，所述导电薄膜是含有金属成分的树脂薄膜，所述金属为银，所述导电薄膜层中进一步含有焊料。

所述薄膜的厚度范围是10μm至50μm。

作为可选的技术方案，所述晶圆研磨的步骤中，晶圆研磨后的厚度范围是范围是50μm至140μm，所述晶圆研磨减薄之后并不移动，而立即实施贴膜，以防止晶圆在移动中发生变形和碎裂。

本发明进一步提供了一种上述方法形成的封装体，包括引线框架和安放在引线框架上的芯片，所述芯片和引线框架之间通过一薄膜层相互粘合。

作为可选的技术方案，所述薄膜层的厚度范围是10μm至50μm，所述芯片的厚度范围是50μm至140μm。。

本发明的优点在于：采用导电薄膜替代了现有技术中的背金属层，避免了在减薄后的晶圆上生长金属层导致芯片严重翘曲的现象，并且将现有技术中的背面金属化和晶圆贴装两个步骤合并成一个步骤，因此也简化了封装工艺；采用薄膜直接贴装到引线框架的做法，即不需要高温也不需要特殊的化学反应，因此相对于现有技术而言不会产生引线框架在高温下变形或者树脂溢出的现象。

【附图说明】

附图1为本发明所述超薄芯片封装方法的具体实施方式的实施步骤示意图；

附图2至附图5为本发明所述超薄芯片封装方法的具体实施方式的工艺示意图；

附图6为本发明所述封装体具体实施方式的结构示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图对本发明提供的一种超薄芯片的封装方法以及封装体的具体实施方式做详细说明。

首先结合附图给出本发明所述超薄芯片封装方法的具体实施方式。附图1所示为本具体实施方式的实施步骤示意图，包括：步骤S10，提供一晶圆；步骤S11，通过研磨晶圆的背面将晶圆减薄；步骤S12，在晶圆的背面粘贴一导电薄膜；步骤S13，将贴膜完毕的晶圆切割成独立的芯片；步骤S14，将切割后的背面带有导电薄膜的芯片粘贴在引线框架上；步骤S15，将芯片上的焊盘(Pad)电学连接至对应的引脚；步骤S16，注塑并切割成型。

附图2至附图5为本具体实施方式的工艺示意图。

附图2所示，参考步骤S10，提供一晶圆100，所述晶圆100表面具有多个待封装的芯片结构(图中未示出)。所述晶圆100可以是单晶硅晶圆，也可以是任意采用其他常见半导体材料所构成的晶圆。

参考步骤S11，通过研磨晶圆100的背面将晶圆减薄。研磨的目的是将晶圆100的厚度减薄至目标厚度，以满足器件小型化的需要。减薄可以采用常用的研磨工艺，例如化学机械抛光，也可以辅助选择性腐蚀等方法以加快腐蚀速度。

附图3所示，参考步骤S12，在晶圆的背面粘贴一导电薄膜110。