[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

衬底，其包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；

第一电极，其设置在所述第一主表面上；

半导体发光元件，其设置在所述第一电极上并电连接到所述第一电极；

第二电极，其设置在所述第二主表面上；以及

贯通电极，其被设置为穿过在所述凹陷处的所述衬底并电连接所述第一电极和所述第二电极。

2.根据权利要求1的器件，还包括荧光材料，其通过间隙而设置在所述第一主表面上方和所述半导体发光元件上方。

3.根据权利要求2的器件，其中在所述间隙与所述荧光材料之间设置加强膜，所述加强膜为电介质且对于所述半导体发光元件所发射的光是透明的。

4.根据权利要求1的器件，其中所述半导体发光元件被安装在所述凸起的上表面上。

5.根据权利要求1的器件，其中所述衬底的所述凸起的上表面的表面积大于所述衬底的所述凹陷的底表面的表面积。

6.根据权利要求5的器件，其中所述半导体发光元件被安装在所述凸起的所述上表面上。

7.根据权利要求1的器件，其中在所述半导体发光元件的表面上设置抗反射涂层。

8.根据权利要求1的器件，其中在所述衬底与所述第一电极之间、以及所述衬底与所述第二电极之间设置电介质膜。

9.根据权利要求1的器件，还包括互连金属，其设置在所述凸起的侧表面上并被连接到所述第一电极和所述贯通电极。

10.一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：

在包括第一主表面和第二主表面的衬底的所述第一主表面上形成第一电极，所述第一主表面包括凹陷和凸起，所述第二主表面形成在与所述第一主表面相反的一侧上；

在所述凹陷处的所述衬底中形成连接孔以在所述第一主表面与所述第二主表面之间连通；

在所述连接孔中和所述第二主表面上形成第二电极；

电连接所述第一电极和所述第二电极；以及

在所述第一电极上安装半导体发光元件。

11.根据权利要求10的方法，还包括在形成所述连接孔之前研磨所述衬底的所述第二主表面以减薄所述衬底。

12.根据权利要求10的方法，其中所述半导体发光元件形成在发光元件衬底上，并且在所述发光元件衬底附着在所述发光元件上的条件下将所述半导体发光元件安装在所述第一电极上。

13.根据权利要求12的方法，其中在安装所述半导体发光元件之后去除所述发光元件衬底。

14.一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤：

在衬底的第一主表面上形成第一电极；

在所述衬底中形成连接孔以从所述第一主表面连通到第二主表面，所述第二主表面位于与所述第一主表面相反的一侧上；

在所述连接孔中和所述第二主表面上形成第二电极；

电连接所述第一电极和所述第二电极；

在所述第一电极上安装半导体发光元件；

形成牺牲层以覆盖所述半导体发光元件；

在所述牺牲层上形成加强膜；

通过在所述加强膜中形成的开口去除所述牺牲层，以在所述半导体发光元件与所述加强膜之间形成间隙；

在所述加强膜上形成荧光材料；以及

进行热处理以改造所述荧光材料。

15.根据权利要求14的方法，其中所述热处理包括从所述荧光材料的顶表面侧激光辐射所述荧光材料。

16.根据权利要求14的方法，还包括在形成所述连接孔之前研磨所述衬底的所述第二主表面以减薄所述衬底。

17.根据权利要求14的方法，其中所述半导体发光元件形成在发光元件衬底上，并且在所述发光元件衬底附着在所述发光元件上的条件下将所述半导体发光元件安装在所述第一电极上。

18.根据权利要求17的方法，其中在安装所述半导体发光元件之后去除所述发光元件衬底。

19.根据权利要求14的方法，还包括在形成所述第一电极之前在所述衬底的所述第一主表面上形成凸起和凹陷，所述第一电极形成在所述凸起上。

20.根据权利要求19的方法，其中所述连接孔被形成为从所述衬底的所述第二主表面到达所述第一主表面的所述凹陷。