[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器，包括：

柱形层叠结构，从基板开始依次包括所述基板上的第一多层反射镜、第一间隔层、Al_xGa_yIn_1-x-yP基有源层、第二间隔层、第二多层反射镜和横模调节层，其中0≤x＜1且0＜y＜1，所述柱形层叠结构还包括电流窄化层，

其中所述电流窄化层包括：在面内中间区域中的未氧化区域，以及在所述未氧化区域周围的环形氧化区域，

其中所述横模调节层包括：与所述未氧化区域对应的高反射区域，以及在所述高反射区域周围的环形低反射区域，并且

其中假设所述未氧化区域的直径为D_ox，所述高反射区域的直径为D_hr，则直径D_ox和D_hr满足下面的关系：

0.8＜D_hr/D_ox＜1.5。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述有源层具有量子阱结构，该量子阱结构通过交替层叠主要包含Al_aGa_bIn_1-a-bP的阱层和主要包含Al_cGa_dIn_1-c-dP的垒层而形成，其中0≤a＜1且0＜b＜1，0＜c＜1且0＜d＜1。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中所述电流窄化层形成的位置距所述有源层(7/4+(n/2))λ的距离，其中n是等于或大于0的整数。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中所述电流窄化层形成在所述第二多层反射镜中。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中直径D_ox和D_hr满足下面的关系：

D_hr/D_ox＝1。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中直径D_ox满足下面的关系：

5μm≤D_ox＜10μm。

7.根据权利要求1至6中任何一项所述的半导体激光器，其中在所述层叠结构中所述第二间隔层侧的腔长度为(1+(m/2))λ，其中m是等于或大于0的整数，λ是振荡波长。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器，其中所述腔长度为λ或(3/2)λ。

9.根据权利要求1所述的半导体激光器，

其中所述高反射区域由依次层叠第一调节层和第二调节层的结构形成，所述第一调节层的厚度为(2α-1)λ/4n₁并且所述第一调节层的折射系数n₁低于所述第一多层反射镜表面的折射系数，所述第二调节层的厚度为(2β-1)λ/4n₂并且所述第二调节层的折射系数n₂高于所述第一调节层的折射系数，其中α是等于或大于1的整数，λ是振荡波长，β是等于或大于1的整数，而且

其中所述低反射区域由第三调节层形成，所述第三调节层的厚度为(2γ-1)λ/4n₃并且所述第三调节层的折射系数n₃高于所述第一调节层的折射系数，其中γ是等于或大于1的整数。

10.根据权利要求9所述的半导体激光器，其中所述第一调节层由氧化物材料形成，所述第二调节层和所述第三调节层由氮化物材料形成。