[发明专利]包覆有金属的叠层板有效

专利信息
申请号: 201010135832.6 申请日: 2010-03-12
公开(公告)号: CN101841979A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 奈良桥弘久;中村茂雄;横田忠彦 申请(专利权)人: 味之素株式会社
主分类号: H05K3/38 分类号: H05K3/38
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蔡晓菡;孙秀武
地址: 日本东京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 包覆有 金属 叠层板
【说明书】:

技术领域

本发明涉及包覆有金属的叠层板的制造方法、进一步地涉及使用所得该包覆有金属的叠层板的电路基板的制造方法。

背景技术

广泛用于各种电子仪器中的包覆有金属的叠层板及电路基板,由于电子仪器的小型化、高功能化,而要求各层的薄型化或回路的配线微细化。包覆有金属的叠层板一般通过重叠1片或多片预浸料,将其用铜箔夹入,并使用真空热压机在减压下加压、加热,进行叠层、一体化而制造。并且,相对于这样制造的包覆有金属的叠层板,通过将铜箔用作导体层的减法(サブトラクテイブ法)形成电路,制作电路基板的方法广泛进行。但是,为了确保导体层与预浸料层间的密合,需要预先在导体层(即、包覆有金属的叠层板的铜箔)与预浸料层相接触的面上形成凹凸。但是,若在导体层上形成这样的凹凸,在电路形成时通过蚀刻除去不需要的导体层时,凹凸部分的导体层难以被除去,另一方面,在能够充分除去凹凸部分的导体层的条件下进行蚀刻时,需要的导体层(作为电路的配线图案)的溶解变得显著,产生妨碍配线微细化的问题。

作为解决这类问题的方法,尝试了通过带极薄金属的铜箔等带金属膜的膜,将能作为镀敷种子层(めつきシ一ド層)的金属膜层转印至粘附物(被着体)上的方法(例如,专利文献1、2)。

通过带金属膜的膜,将能作为镀敷种子层的金属膜层转印至粘附物的方法,由于可以将导体层形成到平滑的绝缘层上,因而被认为是有利于配线微细化的方法。另一方面,在使用包覆有金属的叠层板的电路基板的制造中,在导体层形成前存在通孔的形成工序、去胶渣工序,故存在转印的金属膜层容易受到损伤的问题。例如存在下述情况,通过碱性高锰酸钾溶液等氧化剂处理进行去胶渣处理时,需要通过酸性溶液进行中和处理,此时,铜膜受到损伤,或者进一步地,通过电解镀敷形成导体层时用酸性溶液对铜膜进行前处理时铜膜受到损伤。

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2004-230729号公报

[专利文献2]日本特开2002-324969号公报

发明内容

本发明的目的是得到在平滑的绝缘层表面形成剥离强度优异的导体层的包覆有金属的叠层板。

本发明人为了达到上述目的进行了深入研究,结果发现通过包含以下工序的包覆有金属的叠层板的制造方法,可以达到上述目的:(A)在支持体层上具有金属膜层的2片带金属膜的膜间配置1片以上的预浸料、在减压下进行加热和加压而制作包覆有金属的叠层板前体的工序;(B)除去支持体层的工序;(C)除去金属膜层的工序;和(D)通过非电解镀敷在绝缘层表面形成金属膜层的工序。

本发明基于上述发现而完成,其特征如下。

(1)包覆有金属的叠层板的制造方法,其包含以下的工序(A)~(D):

(A)在支持体层上具有金属膜层的2片带金属膜的膜间配置1片以上的预浸料,在减压下进行加热和加压而制作包覆有金属的叠层板前体的工序;

(B)除去支持体层的工序;

(C)除去金属膜层的工序;和

(D)通过非电解镀敷在绝缘层表面形成金属膜层的工序。

(2)上述(1)记载的方法,其中,带金属膜的膜的金属膜层是通过选自蒸镀法、溅射法和离子镀法中的1种以上方法形成的。

(3)上述(1)或(2)记载的方法,其中,带金属膜的膜的金属膜层由铜形成。

(4)上述(1)记载的方法,其中,在(C)除去金属膜层的工序中,通过蚀刻除去金属膜层。

(5)上述(1)~(4)中任一项记载的方法,其中,(D)通过非电解镀敷在绝缘层表面形成金属膜层的工序中的金属膜层由铜形成。

(6)使用包覆有金属的叠层板的电路基板的制造方法,其在上述(1)~(5)中任一项记载的包覆有金属的叠层板的制造方法之后,进行(G)通过电解镀敷形成导体层的工序。

(7)上述(1)~(6)中任一项记载的方法,其中,在(A)制作包覆有金属的叠层板前体的工序之后、或在(B)除去支持体层的工序之后、或者在(D)通过非电解镀敷在绝缘层表面形成金属膜层的工序之后,还包含(E)形成通孔的工序。

(8)上述(7)记载的方法,其中,在(E)形成通孔的工序之后,还包含(F)去胶渣工序。

(9)上述(1)~(7)中任一项记载的方法,其中,(C)除去金属膜层的工序后的绝缘层表面的算术平均粗糙度(Ra值)为200nm以下。

(10)上述(1)~(9)中任一项记载的方法,其中,带金属膜的膜是在支持体层上隔着脱模层形成金属膜层而得到的。

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