[发明专利]等离子体镀膜装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种等离子体镀膜装置。

背景技术

现有的采用等离子体增强型化学气相沉积技术来进行电浆镀膜的装置一般都采用电容耦合式结构，该结构一般都包括有一个真空反应室，在该真空反应室内设置有两个上下相对设置的平板电极结构，被镀基板放在具有温控装置的下平板电极上，在该两个电极之间加正负电压以使得该两个平板电极之间辉光放电产生等离子体，等离子体在电场的作用下进行高速运动并与中性反应气体发生碰撞，从而使得中性反应气体分子变成离子状态或者处于激活状态而容易发生反应，这些具有高活性的反应物质很容易被吸附于被镀基板表面发生非平衡的化学反应而沉积到基板表面而生成薄膜。

然而，在现有的设备中，由于被镀基板处于电场中，在镀膜过程中高速运动的等离子体很容易与被镀基板发生碰撞，这样就会很容易使得被镀基板表面上已经完成镀膜的区域被高速运动的等离子的撞伤而影响薄膜的品质，另外，由于等离子体与反应气体的高速碰撞存在着一定程度的不可控制性，采用将被镀基板固定设置在电场中的这种结构很难保证包覆在基板表面的薄膜的均匀性。

发明内容

有鉴于此，提供一种结构简单、镀膜均匀的等离子体镀膜装置实为必要。

一种等离子体镀膜装置，其包括：一腔体，在该腔体的内壁上设置有至少一个容置槽，该容置槽用来收容待镀基板；至少一个第一进气管，其设置在该腔体上用来向该腔体内通入气态反应物；一反应装置，其收容于该腔体内，该反应装置包括两个沿该腔体轴线方向相对设置的电极基板以及前驱物存储腔，该两个电极基板之间有电场存在，该前驱物存储腔设置在至少一个电极基板上，该前驱物存储腔位于该电场的外部用来存储非气态反应物并对其进行气化，该前驱物存储腔包括载流气体入口及气体出口，其中，该载流气体入口用来向该前驱物存储腔内通入载流气体，该气体出口与该电场相连通，气化的该非气态反应物在载流气体的带动下由该气体出口进入到该电场中与该气态反应物进行反应以对待镀基板进行镀膜。

与现有技术相比，本发明所提供的该等离子体镀膜装置，其通过将待镀基板设置在电场之外并将助镀离子限制在电场内，减小了高速运动的助镀离子对待镀基板表面的撞击伤害，提高了镀膜的品质，同时以此来增加助镀离子与反应物分子的碰撞机率。更进一步的，通过将腔体与反应装置设置为相对转动的机构，避免了助镀离子对待镀基板单一局部的碰撞沉积，从而使得沉积在待镀基板表面的薄膜更加均匀。

附图说明

图1是本发明实施例所提供的等离子体镀膜装置的立体示意图。

图2是本发明实施例所提供的等离子体镀膜装置的内部结构示意图。

图3是本发明实施例所提供的等离子体镀膜装置的剖面图。

主要元件符号说明

等离子体镀膜装置          100

腔体                      10

收容槽                    11

第一进气管                12

反应装置                  20

电极基板                  21

前驱物存储腔              22

载流气体入口              23

气体出口                  24

支架                      25

支杆                      251

轴承                      252

具体实施方式

请一并参阅图1至图3，本发明实施例所提供的等离子体镀膜装置100，其包括腔体10及收容于该腔体10内的反应装置20。

该腔体10的内壁上开设有至少一个收容槽11，该收容槽11用来收容待镀基板。

在该腔体10上还设置有至少一个第一进气管12，该第一进气管12用来向该腔体10内通入气态反应物，在本实施例中，该腔体10上设置有一个第一进气管12，并且该第一进气管12靠近该腔体10的内壁设置。

优选的，在该腔体10上，相对于每一个收容槽11都设置一个第一进气管12，并且每一个第一进气管12都靠近该收容槽11设置，这样能够使得气态反应物进入该腔体10后能够先到达收容于该收容槽11内的待镀基板的表面，这样可以使得已经镀在该待镀基板表面的未反应完全的薄膜得到进一步的反应。

该反应装置20包括两个相对设置的电极基板21，在该两个电极基板21上加有电压以使得该两个电极基板21之间产生电场。