[发明专利]与卷对卷技术兼容的大面积有机薄膜晶体管列阵制备方法

权利要求书

1.一种与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其步骤包括：

在衬底上表面上制备栅电极，以及在栅电极上制备绝缘介电层；

在绝缘介电层上制备有机小分子膜，作为半导体活性层；

在有机小分子膜上制备源电极和漏电极；其特征在于，

所述的在绝缘介电层上制备有机小分子膜的步骤如下：

将衬底下表面粘贴在真空蒸镀系统的滚筒上，在真空度为10^-3Pa～5×10^-5Pa真空环境及室温条件下，使用真空热蒸镀法在所述绝缘介电层上蒸镀有机小分子材料10min～100min，制得有机小分子膜；

所述有机小分子材料为并苯、酞菁铜、酞菁铜衍生物、噻吩齐聚物、噻吩齐聚物衍生物与四硫富瓦烯衍生物；

在上述有机小分子材料的蒸镀过程中，所述滚筒同时作旋转和平移运动；所述滚筒的平移运动为滚筒在真空蒸镀系统的蒸发源正上方的水平方向上30cm范围内的往复平移运动，其平移运动速度为5～40mm/s；所述滚筒的旋转运动为滚筒绕滚筒水平转轴旋转的旋转运动，其旋转速度40～240mm/s。

2.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的衬底为硅片、玻璃片、柔性聚苯乙烯片、柔性聚酰亚胺片、柔性聚甲基丙烯酸甲酯片、柔性聚苯二甲酸乙二酯片、柔性聚萘二甲酸乙二醇酯片或可弯曲金属片。

3.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的栅电极为金属栅电极、铟锡氧化物栅电极、n型硅片栅电极或p型硅片栅电极。

4.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的绝缘介电层为二氧化硅介电层、氧化铝介电层或聚苯乙烯介电层，其厚度为100～500nm。

5.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的源电极为Au源电极、Cu源电极、Ni源电极、Pt源电极、Ag源电极或Al源电极。

6.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的漏电极为Au漏电极、Cu漏电极、Ni漏电极、Pt漏电极、Ag漏电极或Al漏电极。

7.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的源电极是通过贴附在有机小分子膜上的带有源电极图形的掩膜再蒸渡而制作。

8.按权利要求1所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的漏电极是通过贴附在有机小分子膜上的带有漏电极图形的掩膜再蒸渡而制作。

9.按权利要求7所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的带有源电极图形的掩膜为用化学刻蚀方法镂空的金属箔。

10.按权利要求8所述的与卷对卷技术兼容的大面积有机膜晶体管列阵的制备方法，其特征在于，所述的带有漏电极图形的掩膜为用化学刻蚀方法镂空的金属箔。