[发明专利]先进工艺控制的方法和装置

说明书

技术领域

本发明涉及工艺控制，特别涉及用于先进工艺控制的技术。

背景技术

目前已有借由先进工艺控制而进行的工艺的多种应用。一种用于先进工艺控制的常见模型是共变数分析(analysis of covariance，ANCOVA)，共变数分析通常相关于线性模型的连续输出，而连续输出是一个或多重输入的函数。举例而言，这种类型的先进工艺控制是半导体工艺设备的控制，例如在半导体晶片上执行蚀刻工艺的蚀刻设备。

在具有多重输入的先进工艺控制的一些应用中，其输入可能很复杂，并且输入间也可能会互相影响和/或干扰，而使得先进工艺控制的效能退化。有时候可借由人类(例如工程师)分辨且量化可能造成控制结果不稳定的这些输入互相影响和/或干扰。因此，虽然目前已经有先进工艺控制技术能够满足一些需求，但是其仍不能完全满足所有的需求。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明实施例提供一种先进工艺控制方法，包括：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；测量第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的，并且有关于工具的操作；根据第一参数的函数，决定第一变数的新变数值，并根据第二参数的函数与第二变数的目前变数值，计算第二变数的新变数值；以及重复上述操作、测量、决定和计算步骤。

本发明另一实施例提供一种先进工艺控制装置，包括：一工具；以及一计算机，动作性地耦接于工具，计算机包括存储有计算机程序的计算机可读取媒体，当计算机程序被执行时，计算机执行下列步骤：将第一变数设定为初始值；将第二变数设定为初始值；在先进工艺控制的控制下，根据第一和第二变数的每一个的函数来操作工具；接收已测量的第一和第二参数，其中第一和第二参数是不同的，并且有关于工具的操作；根据第一参数的函数，决定第一变数的新变数值，并根据第二参数的函数与第二变数的目前变数值，计算第二变数的新变数值；以及重复上述操作、测量、决定和计算步骤。

本发明的技术方案有益于改善先进工艺控制的效能，并减少先进工艺控制的多重输入间的干扰。

附图说明

本发明可借由阅读实施方式并搭配所附图示而被较佳地理解。要注意的是，图示中多种特征并未依照半导体制造设备的实际尺寸而绘制。事实上，上述特征的尺寸可任意增减以简化说明。

图1是用以说明本发明装置10的方块图，其中装置10是部分的半导体制造系统；

图2是蚀刻工具13的部分控制流程的流程图；

图3为图2步骤107(可选流程)的流程图。

主要附图标记说明如下：

10～装置；11半导体晶片；

12～计算机；13～蚀刻工具；

14～测量工具；21～处理器；

22～存储器；23～程序；

36～工艺特征；38～实验；

46～先进工艺控制模块；

61～实时估计模块；

51、52、64、66～途径。

具体实施方式

要注意的是，本发明提供许多不同的实施例，其使用于不同特征上，然而，仅为说明元件及工艺安排的特例，而并不限于本发明；此外本发明于不同的例子中，可重复参考其数目及字面意义。此重复的方式，是为简明的目的；其本身并不特指多个实施例及所讨论的结构之间的特定关系。另外，实施例方法中，一第一特征以覆盖或于一第二特征上的形成，为该第一及该第二特征的直接接触；以及实施例中的额外特征，若为插入该第一及第二特征，则该第一及第二特征可不为直接接触。

图1是用以说明本发明各种型态的装置10的方块图，装置10是部分的半导体制造系统。在本实施例中，装置10用以蚀刻多个半导体晶片，上述半导体晶片的一个以元件符号11表示(晶片11)。装置10包括计算机12、一个设备区块(蚀刻工具13)，以及测量工具(metrology section)14。蚀刻工具13是半导体制造领域常见的装置，并且包括蚀刻反应室(此处未显示)。半导体晶片是设置于蚀刻反应室内来进行蚀刻工艺。本文后述的晶片(或每一第N个晶片)都是使用测量工具14来评估。