[发明专利]NdCa4O(BO3)3晶体零频率温度系数切型及应用有效
| 申请号： | 201010136214.3 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101847975A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 袁多荣;于法鹏;张树君;潘立虎;尹鑫;郭世义;段秀兰;赵显 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ndca sub bo 晶体 频率 温度 系数 应用 | ||
技术领域
本发明涉及一种压电晶体NdCa4O(BO3)3晶体零频率温度系数切型及应用，属于频率控制技术领域。
背景技术
石英晶体具有优良的压电性能，广泛应用于无线电频率的控制器件(振荡器，谐振器)和选择器件(滤波器)，是电子设备，遥测导航和通讯等系统中的关键元器件。现行的压电晶体频率控制用零温度补偿切型多为石英晶体，温度范围一般在-40-100℃。但石英晶体压电系数较低(d11＜4pC/N)，机电耦合系数偏低(＜8％)，已不能满足现代电子通讯技术的发展以及传感技术的发展，人们迫切需要新的具有更高压电常数和机电耦合系数的晶体材料。钽酸锂(X切)，四硼酸锂((YXl)51°切)虽然有零频率温度系数切型，但是补偿温度范围有限，温度系数也较大，参见张沛霖，钟维烈《压电材料和器件物理》p.141；Yoshiro Fujiwara，Masaaki ONO，Masayuki Sakai，Noboru Wakatsuki，STRIP TYPE RESONATOR OF LITHIUMTETRABORATE，Proc.39th Ann.Freq.Control Symp.1985，p.351。磷酸镓(GaPO4)、硅酸镓镧(La3Ga5SiO14)等晶体生产成本较高，而且频率稳定范围相对较窄(-130～150℃)，参见Robert C.Smythe，Robert C.Helmbold，G.Eric Hague，II，and Karen A.Snow，Langasite，langanite，andlangatate bulk-wave Y-cut resonators，2000 IEEE Transactions on ultrasonics，ferroelectrics，andfrequency control，2000年第二期47卷355-360页；A.Zarka，B.Capelle，J.Detaint，D.Palmier，E.Philippot，O.V.Zvereva，Studies of GaPO4 crystals and resonators，1996 IEEE InternationalFrequency Control Symposium，66-71页。
发明内容
为了克服现有技术中石英晶体机电耦合系数较低，而钽酸锂、硅酸镓镧等晶体频率稳定范围较窄的问题，本发明提供NdCa4O(BO3)3晶体零频率温度系数切型，以实现获得宽温度范围内使用的具有较高频率温度稳定性、高机电耦合系数和压电常数晶体器件。该晶体切型可以使频率控制器件的使用温度范围有较大的提高(-140～200℃)，满足国防与民用频率控制器件要求。
本发明采用压电晶体材料NdCa4O(BO3)3(ZXw)θ切型，采用压电常数d26宽度切变振动模式，获得适用于-140-200℃范围内该晶体的零频率温度系数切型。适合制成宽温度范围使用的频率控制器件。
术语解释：
1.零频率温度系数：晶体的弹性常数随温度是变化的，其谐振(反谐振)频率随温度的变化可以写成的温度的函数：
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学，未经山东大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010136214.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
