[发明专利]载置台结构和等离子体成膜装置有效
申请号: | 201010136279.8 | 申请日: | 2010-03-17 |
公开(公告)号: | CN101840878A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 藤里敏章;R·内斯曼 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 载置台 结构 等离子体 装置 | ||
1.一种载置台结构,其载置被处理体以在所述被处理体上形成含有金属的薄膜,其特征在于,具有:
内部埋入有卡盘用电极和加热器的陶瓷制的载置台;
与所述载置台的周边部的下表面连接的金属制的凸缘部;
金属制的基台部,其通过螺钉与所述凸缘部接合,并且在内部形成有用于流通制冷剂的制冷剂通路;和
设置在所述凸缘部和所述基台部之间的金属密封部件。
2.如权利要求1所述的载置台结构,其特征在于:
所述凸缘部设置为从所述载置台的下表面向下方延伸。
3.如权利要求2所述的载置台结构,其特征在于:
所述基台部具备:
圆板状的底板;和
冷却护套部,其设置在所述底板上,在内部形成有所述制冷剂通路,并且位于所述凸缘部的内侧。
4.如权利要求3所述的载置台结构,其特征在于:
所述冷却护套部由沿着水平方向被分成上下2部分而形成的2个块体构成。
5.如权利要求4所述的载置台结构,其特征在于:
在所述2个块体内,从位于下方的下部块体侧通过弹性部件对位于上方的上部块体向上方施力。
6.如权利要求5所述的载置台结构,其特征在于:
在所述弹性部件设置有由绝热材料形成的推举销。
7.如权利要求5或6所述的载置台结构,其特征在于:
在所述上部块体和所述下部块体的相对面形成有相互嵌合的凹凸部。
8.如权利要求7所述的载置台结构,其特征在于:
所述上部块体和所述下部块体的相对面之间的间隙形成为用于缓和热传递的气体热传导缓和层。
9.如权利要求1所述的载置台结构,其特征在于:
所述载置台由形成为中空状的金属制的支柱支撑。
10.如权利要求9所述的载置台结构,其特征在于:
在所述支柱内设置有与所述制冷剂通路连接的制冷剂管。
11.如权利要求9或10所述的载置台结构,其特征在于:
在所述基台部的中央部形成有与所述中空状的支柱内连通的贯通孔。
12.如权利要求11所述的载置台结构,其特征在于:
在所述支柱内和贯通孔内插通设置有与所述卡盘用电极连接的电极线路、与所述加热器连接的馈电线路、测定所述载置台的温度的热电偶线路和向所述载置台的上表面与所述被处理体的下表面之间供给气体的背面气体线路中的任意1个以上的线路。
13.如权利要求12所述的载置台结构,其特征在于:
所述电极线路由作为导电性材料的金属管构成,所述金属管兼用作所述背面气体线路。
14.如权利要求12或13所述的载置台结构,其特征在于:
在所述载置台的下表面的中央部接合有由绝缘材料构成的中空状的帽部,在所述帽部内插通有所述电极线路的上端部,并且所述馈电线路的上端部和所述热电偶线路的上端部位于所述帽部的外侧。
15.一种等离子体成膜装置,用于对被处理体形成含有金属的薄膜,其特征在于,具有:
能够抽真空的处理容器;
用于载置被处理体的权利要求1~14中任一项所述的载置台结构;
向所述处理容器内导入规定气体的气体导入单元;
用于使等离子体向所述处理容器内发生的等离子体发生源;
含有所述金属的金属靶;
靶电源,供给用于向所述金属靶吸引所述气体的离子的电压;
向所述载置台结构的卡盘电极供给偏置电力的偏置电源;和卡盘用电源,其向所述载置台结构的卡盘电极施加卡盘用的电压。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造