[发明专利]硫族化物恒流器件及其制造方法与动作有效
申请号: | 201010136481.0 | 申请日: | 2004-03-12 |
公开(公告)号: | CN101807666A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | K·A·坎普贝尔;T·L·吉尔顿;J·T·穆尔;J·F·布鲁克斯 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;G11C27/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 汤春龙;王忠忠 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫族化物恒流 器件 及其 制造 方法 动作 | ||
技术领域
本发明涉及恒流器件,具体涉及硫族化物材料构成的恒流器件。
背景技术
目前正在探索将基于硫族化物玻璃的可编程电阻材料用于非易 失性存储器件。通过在含有可用金属(例如银)的硫族化物玻璃上 施加例如经选择极性的不同电压的外部激励,该硫族化物玻璃内部 结构可被改变,产生高或低的电阻状态。
正在研究的用于存储器的硫族化物玻璃的一个特例是硒化锗 (GexSe100-x)。一般说,硫族化物玻璃具有已结合在玻璃基体内的 供给金属的相关层,以改变电阻状态。作为举例,该相关层可以是 银层或硒化银层(Ag2Se)。
当关注的焦点集中于将硫族化物玻璃用于存储器件时,发明人 已经发现硫族化物玻璃的另一用途,即用作恒流器件。
发明内容
本发明的一方面提出由硫族化物玻璃材料构成的一种两端恒流 器件及其制造与工作方法。该器件包含邻近至少一层硫族化物玻璃 层形成的含金属层,它被加偏压而进入恒流状态。该恒流器件在所 施加的电压范围内保持恒定电流。
本发明的另一方面提出一种恒流器件以及制造与工作这种器件 的方法,在该器件中在第一硒化锗层和第二硒化锗层之间形成至少 一层硒化银。这些层设置在第一电极和第二电极之间。这些电极上 被施加足以将该器件置于恒流状态的偏压。该恒流器件在所施加的 电压范围内维持恒定电流。
本发明的另一方面,提出一种恒流器件以及制造与工作这种器 件的方法,在该器件中在第一硒化锗层、银层和第二硒化锗层之间 形成至少一层硒化银。这些层又设置在第一电极和第二电极之间。 这些电极上被施加足以使该器件置于恒流状态的偏压。该恒流器件 在所施加的电压范围内维持恒定电流。
本发明的另一方面提出一种恒流器件以及制造与工作这种器件 的方法,在该器件中在的硫族化物玻璃层例如硒化锗层上形成至少 一层含金属层(例如银)。在这些层上施加足以将该器件置于恒流 状态的偏压。该恒流器件在所施加的电压范围内维持恒定电流。
本发明的另一方面提出一种恒流器件以及制造与工作这种器件 的方法,在该器件中,与硫族化物玻璃层例如硒化锗层的和银层一 起形成至少一层含金属层(例如硒化银)。在这些层上施加足以将 该器件置于恒流状态的偏压。该恒流器件在所施加的电压范围内维 持恒定电流。
本发明的另一方面提出一种将由至少一层硫族化物玻璃层和含 金属层(例如银或硒化银)组成的已经呈现存储器件行为的器件转 变为恒流器件的方法。在这些层上施加足以将该器件置于恒流状态 的偏压。该恒流器件在所施加的电压范围内维持恒定电流。
本发明的另一方面提出一种通过控制所施加的偏压来改变由至 少一层硫族化物玻璃层形成的恒流器件电流特性的方法。
本发明的另一方面提出一种通过控制所施加的偏压使由至少一 层硫族化物玻璃层形成的恒流器件电流特性重设或提升至先前状态 的方法。
通过以下结合附图的详细说明,将能更好地理解本发明的上述 这些和其它的特征和优点。
附图说明
图1是按照本发明第一实施例制造的硫族化物玻璃恒流器件的 剖面图。
图1a是按照本发明第一实施例的第一示范实施例制造的硫族化 物玻璃恒流器件的剖面图。
图1b是按照本发明第一实施例的第二示范实施例制造的硫族化 物玻璃恒流器件的剖面图。
图1c是按照本发明第一实施例的第三示范实施例制造的硫族化 物玻璃恒流器件的剖面图。
图1d是按照本发明第一实施例的又一示范实施例制造的硫族化 物玻璃恒流器件的剖面图。
图2是按照本发明第二实施例制造的硫族化物玻璃恒流器件的 剖面图。
图2a是按照本发明第二实施例的第一示范实施例制造的硫族化 物玻璃恒流器件的剖面图。
图2b是按照本发明第二实施例的第二示范实施例制造的硫族化 物玻璃恒流器件的剖面图。
图3是按照本发明构造的硫族化物恒流器件的电流-电压(I- V)曲线图。
图4是施加不同的正电压来减小恒流器件的恒定电流值的曲线 图。
图5是阐明由于在硫族化物恒流器件上施加图4所示的电压而 得到的恒定电流的曲线图。
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