[发明专利]焊料凸块UBM结构

权利要求书

1.一种凸块下金属化UBM结构，包括：

设置在半导体基板的接合垫上方的第一金属或金属合金层；

设置在所述第一层上方的第二金属或金属合金层；

设置在所述第二层上方的第三金属或金属合金层；

设置在所述第三层上方的第四金属或金属合金层，所述第四层包括纯锡或锡合金并且与焊料凸块接触；

其中没有两个相邻层由相同的金属或金属合金形成。

2.如权利要求1的UBM结构，其中所述第一层是基于钛的。

3.如权利要求2的UBM结构，其中所述第二层是基于铜的。

4.如权利要求3的UBM结构，其中所述第三层是基于镍的。

5.如权利要求4的UBM结构，其中所述第一层具有大约500-3000A的厚度；所述第二层具有大约0.3-10微米的厚度；所述第三层具有大约1.0-5.0微米的厚度；和所述第四层具有大约2.0-10.0微米的厚度。

6.如权利要求5的UBM结构，其中所述UBM经由重新分布层从所述接合垫偏移，所述重新分布层包括电连接到所述接合垫的至少一个金属层。

7.如权利要求1的UBM结构，其中所述第一层具有大约500-3000A的厚度。

8.如权利要求7的UBM结构，其中所述第二层具有大约0.3-10微米的厚度。

9.如权利要求8的UBM结构，其中所述第三层具有大约1.0-5.0微米的厚度。

10.如权利要求9的UBM结构，其中所述第四层具有大约2.0-10.0微米的厚度。

11.如权利要求10的UBM结构，其中所述第一层是基于钛的；所述第二层是基于铜的；和所述第三层是基于镍的。

12.如权利要求1的UBM结构，其中所述UBM经由重新分布层从所述接合垫偏移；所述重新分布层包括电连接到所述接合垫的至少一个金属层。

13.如权利要求12的UBM结构，其中所述重新分布层包括钛层和铜层，所述钛层覆盖在所述接合垫和至少一部分钝化层上，并且所述铜层沉积在所述钛层上方。

14.如权利要求13的UBM结构，其中所述第一层包括钛；所述第二层包括铜；并且所述第四层包括镍。

15.如权利要求14的UBM结构，其中所述第一层具有大约500-3000A的厚度；所述第二层具有大约0.3-10微米的厚度；所述第三层具有大约1.0-5.0微米的厚度；和所述第四层具有大约2.0-10.0微米的厚度。

16.一种在半导体结构上形成焊料连接的方法，包括：

提供基板，所述基板具有至少一个接合垫和在所述接合垫上形成的钝化层，其中所述钝化层包括暴露每个所述接合垫的至少一部分的孔；

在所述孔和部分所述钝化层上方形成凸块下金属化UBM结构，所述UBM结构包括：

设置在所述孔和部分所述钝化层上方的第一金属或金属合金层，

设置在所述第一层上方的第二金属或金属合金层，

设置在所述第二层上方的第三金属或金属合金层，

设置在所述第三层上方的第四金属或金属合金层，所述第四层包括纯

锡或锡合金，其中没有两个相邻层由相同的金属或金属合金形成；

在所述UBM结构上方形成焊料凸块。