[发明专利]半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法

权利要求书

1.一种半导体器件层上的氧化层刻蚀后残留物的去除方法，对在半导体器件层上热生长的氧化层进行图案化后，在半导体器件层上出现残留物，该方法还包括：

在半导体器件层以及氧化层上热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层的上表面；

在第二氧化层和该图案化的氧化层上旋涂光阻胶层，采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层，该图案化的光阻胶层的图案与该氧化层的图案相同；

以图案化的光阻胶层为掩膜，对第二氧化层和该图案化的氧化层刻蚀，得到二次图案化的氧化层，去除半导体器件层上的氧化层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热生长的第二氧化层厚度为该图案化的氧化层厚度的105％～110％。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热生长第二氧化层后抛光至该图案化的氧化层上表面之前，还包括：检测该图案化的氧化层是否具有残留物。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述检测该图案化的氧化层采用扫描电子显微镜SEM或光学显微镜OM进行，确定是否具有残留物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用光刻工艺得到图案化的光阻胶层为：按照设定的光刻图形对光阻胶层进行曝光和显影，得到图案化的光阻胶层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件层为硅衬底或金属层。