[发明专利]一种硅片的湿法处理方法无效
| 申请号： | 201010137186.7 | 申请日： | 2010-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN101834130A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 湿法 处理 方法 | ||
1.一种硅片的湿法处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
将所述硅片放置到工艺腔内可旋转平台的硅片托架上，所述硅片托架上方设置有第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴；
所述硅片托架带动所述硅片旋转，且所述第一喷嘴向所述硅片表面喷洒药液，喷洒时间为第一时间；
所述第二喷嘴向所述硅片表面喷洒含有表面活性剂与纯水的混合液，喷洒时间为第二时间；
所述第三喷嘴向所述硅片表面喷洒纯水，喷洒时间为第三时间。
2.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述第一时间和所述第二时间交叉第一共同时间。
3.根据权利要求2所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述第一共同时间为3至7秒。
4.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述第二时间和所述第三时间交叉第二共同时间。
5.根据权利要求4所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述第二共同时间为3至7秒。
6.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述可旋转平台的直径为4英寸至12英寸，最高转速为500至3000转每分钟。
7.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述可旋转平台上放置1枚所述硅片，所述硅片尺寸为4英寸至12英寸。
8.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述表面活性剂为阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。
9.根据权利要求8所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述阳离子表面活性剂为氯化三甲基十二烷基铵，所述阴离子表面活性剂为烷基硫酸钠，所述非离子表面活性剂为辛基酚聚乙二醇醚。
10.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述表面活性剂与纯水的混合液的浓度体积比小于等于1％。
11.根据权利要求1所述的硅片的湿法处理方法，其特征在于，所述第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴安装在同一个机械臂或不同机械臂上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010137186.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
