[发明专利]生产平板太阳能吸热镀膜板的方法及立式镀膜装置有效
申请号: | 201010137288.9 | 申请日: | 2010-03-31 |
公开(公告)号: | CN102206806A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 甘国工 | 申请(专利权)人: | 甘国工 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
代理公司: | 成都立信专利事务所有限公司 51100 | 代理人: | 江晓萍 |
地址: | 610100 四川省成都市龙泉驿区经济*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生产 平板 太阳能 吸热 镀膜 方法 立式 装置 | ||
1.生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于以大面积单张金属片作为太阳能镀膜板的基片,在立式镀膜装置上,金属基片挂在由型材或金属板组成的载片架上,载片架能挂一片或多片金属基片,在真空室外的减速机拖动传送机构带动载片架行进,以断续方式被传送机构带动快速进入和通过立式镀膜装置中的前真空锁定室、前保持室后,载片架一架接一架的、连续匀速依次进入到至少有3组磁控溅射靶与相应的溅射腔室的连续镀膜室中,载片架在立式镀膜装置各室的中央部位直线行进,在连续镀膜室的箱体上每组溅射腔室位置上至少在挂在载片架上的基片的一侧布置有磁控溅射靶,能对金属基片依次沉积由金属膜组成的红外光波反射层/至少一组由金属膜或金属介质复合膜与介质膜组成的干涉膜堆/减反射层,或者在基片上依次沉积由金属膜组成的纤外光波反射层/吸热半导体材料膜或金属介质复合材料膜/减反射层,以此在基片上形成太阳能吸收功能膜,连续镀膜室后有后保持室和后真空锁定室,载片架的出片与进片方式相同,也是以断续方式被传送机构带动快速退出和通过后保持室和后真空锁定室,进片、镀膜和出片的具体方法为:外界大气与前真空锁定室之间、前真空锁定室与前保持室之间、前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间、后保持室与后真空锁定室之间、后真空锁定室与外界大气之间设有真空阀门,当前后真空锁定室和前后保持室的真空度达到连续镀膜室的镀膜工作真空度1-9×10-1Pa,各室与室之间的真空阀门开启让载片架分批次按生产节奏进入连续镀膜室或退出连续镀膜室,前后真空锁定室与大气之间的真空阀门开闭一次进出载片架一架或几架为一批为一个生产节奏,是断续进片方式,而在连续镀膜室中载片架一架或几架为一批均为连续走片方式,基片上形成太阳能吸收功能膜后,载片架快速依次从后保持室和后真空锁定室以断续方式出片,生产出平板太阳能吸热镀膜板。
2.如权利要求1所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于载片架两面均挂一片或多片金属基片,在连续镀膜室的箱体上每组溅射腔室位置上在挂在载片架两面上的基片的侧面对称或错开布置有磁控溅射靶,同时对载片架上的两面的金属基片依次沉积太阳能吸收功能膜。
3.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于载片架的行进是靠与减速机相连的带圆弧的凹轮带动载片架下部的圆杆状底部或平轮带动载片架下部底部靠摩擦传动方式带动的,载片架的上部是靠磁极悬浮稳定的或是载片架倾斜10°以内上部靠在靠轮上稳定的。
4.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于载片架的行进是靠与减速机相连的齿轮带动载片架下部的齿条带动的。
5.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于在前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间,载片架是按生产节奏的断续快速的进片或出片方式,变为载片架呈一架接一架的连续匀速行进方式,也即在前保持室与连续镀膜室之间、连续镀膜室与后保持室之间有一段缓冲区,使载片架按生产节奏的断续快速的进片方式在前缓冲区中变为呈一架接一架的连续匀速行进方式进入连续镀膜室,基片上形成太阳能吸收功能膜后,载片架呈一架接一架的连续匀速行进方式退出连续镀膜室进入后缓冲区中,使载片架在后缓冲区中形成按生产节奏的断续快速的一架接一架或几架为一批的出片方式。
6.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于基片载片架与载片架之间的距离为20毫米至500毫米。
7.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于连续镀膜室至少3组磁控溅射靶及相应的溅射腔室之间由隔板分割而形成各自独立的腔室,各自有独立的磁控溅射电源及工艺充气控制单元系统,每组磁控溅射靶可以分别单独控制电源功率和镀膜所需的工艺气体。
8.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于磁控溅射靶及相应的溅射腔室之间至少有一个真空抽气室做为隔离腔室,以保持靶位、腔室之间不窜气,避免各腔室之间互相干扰工艺气体和真空度。
9.如权利要求1或2所述的生产平板太阳能吸热镀膜板的方法,其特征在于至少3组磁控溅射靶及相应的溅射腔室每组单独的靶的类型是直流平面靶、直流柱形靶、中频交流平面靶、中频交流柱形靶中的至少一种。
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