[发明专利]超导和/或导电参数的光/电磁波调制方法和装置

权利要求书

1.化合物制造方法，包括：

在化合物中形成一个能带系统，该能带系统包括一个上能带和位于所述上能带下方的一个下能带，

其特征在于：

所述上能带的底部(E_j1)与所述下能带的顶部(E_i1)的能量差小于hν_M，其中ν_M是该化合物中的声子振动模的最大频率，其中h是普朗克常数。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于

所述上能带的底部(E_j1)与所述下能带的顶部(E_i1)的能量差等于或略小于hν_M。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于

上述上能带为受主掺杂能带，上述下能带为价带，且

通过施主掺杂在所述受主掺杂能带之上形成一个施主掺杂能带，

所述施主掺杂能带中的能级数少于所述受主掺杂能带中的能级数且是少量的，

从而使位于所述空穴能带的底部附近的电子对导电有贡献。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于

所述下能带为价带，

所述上能带为施主掺杂能带与受主掺杂能带重叠或部分重叠或者衔接到了一起而形成的施主+受主掺杂能带

因此，所述空穴-施主混合能带中的施主能级数少于受主能级数，且施主能级数是少量的，从而使位于所述空穴-施主混合能带的底部附近的电子对导电有贡献。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：

所述下能带是一个受主掺杂能带；

所述上能带是一个施主掺杂能带；

所述施主掺杂能带中的能级数目大于该受主掺杂能带中的能级数目，从而当该施主掺杂能带中的电子向下跃迁而填满了该受主掺杂能带中的所有能级之后，所述施主掺杂能带上仍然还有剩余的电子；且

所述剩余的电子的数目是“少量”的，从而使位于所述施主掺杂能带的底部附近的能级上的电子对导电有贡献。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于在根据本发明的上述实施例中，所述下能带的最高能级E_i1与所述上能带的最低能级E_j1的距离略小于hν_M，即E_j1-E_i1＝hν_M-Δ且Δ＞0。

上述Δ所对应的能级范围内有所述上能带和/或下能带的多个能级，

上述下能带是满的或有极少量的空穴，而上述上能带则是空的或有极少量的电子。

7.根据权利要求1或的方法，其特征在于：

所述上能带可以是导带、受主能带、施主能带之一或它们的结合和/或重叠；所述下能带可以是价带、受主能带、施主能带之一或它们的结合和/或重叠。

8.用根据上述权利要求1或2的方法制成的化合物。

9.根据权利要求8所述的化合物，其特征在于所述化合物为晶体化合物、非晶化合物中的一种。

10.根据权利要求8所述的化合物，所述晶体化合物是离子晶体、共价晶体、合金晶体、离子-共价混合晶体中的一种。