[发明专利]基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置

权利要求书

1.一种基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，包括：中心站和基站，其中：中心站与基站相连传输转换后的探测光信号和上行信号，其特征在于，

所述的中心站包括：泵浦信号光发生系统、三频率分量探测信号光发生系统、硅基微环谐振腔系统、第一光放大器、可调窄带滤波器和上行数据接收机，其中：泵浦信号光发生系统与硅基微环谐振腔系统相连传输需要上变频的泵浦光信号，三频率分量探测信号光发生系统与硅基微环谐振腔系统相连传输产生的含有三个频率分量的探测光信号，硅基微环谐振腔系统与第一光放大器相连传输产生的含有三个频率分量的探测信号光，第一光放大器与可调窄带滤波器相连传输泵浦光和转换后的探测光信号，可调窄带滤波器与基站相连传输转换后的探测光信号，上行数据接收机与基站相连传输上行信息；

所述的基站包括：光纤布拉格光栅、光电检测器、第一马赫曾德调制器和上行数据源，其中：光纤布拉格光栅与可调窄带滤波器相连传输转换后的探测器光信号，光纤布拉格光栅的透射端与光电检测器相连传输三频率分量中的两个边带信号，光纤布拉格光栅的发射端与第一马赫曾德调制器相连传输三频率分量中的中心带载波信号，光纤布拉格光栅的射频输入端与上行数据源相连传输上行电信息，第一马赫曾德调制器的输出端与上行数据接收机相连传输上行信息。

2.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的泵浦信号光发生系统包括：第一可调激光器、偏振控制器，下行数据源、第二马赫曾德调制器、第二光放大器和可调滤波器，其中：第一可调激光器与偏振控制器相连传输激光，偏振控制器与第二马赫曾德调制器相连传输偏振激光，下行数据源与第二马赫曾德调制器相连传输下行数据信息，马赫曾德调制器与第二光放大器相连传输包含基带信号的调制后的光信号，第二光放大器与可调滤波器相连传输放大后的调制光信号，可调滤波器与硅基微环谐振腔系统相连传输需要上变频的泵浦光信号。

3.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的三频率分量探测信号光发生系统包括：第二可调激光器、射频信号发生器、第三马赫曾德调制器和第三光放大器，其中：第二可调激光器的输出端口与第三马赫曾德调制器的输入端口相连传输激光，射频信号发生器的输出端口与第三马赫曾德调制器的射频输入端口相连传输射频信号，第三马赫曾德调制器的光输出端与第三光放大器相连传输调制后的光信号，第三光放大器与硅基微环谐振腔系统相连传输含有三个频率分量的探测光信号。

4.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的硅基微环谐振腔系统包括：光耦合器和硅基微环谐振腔，其中：泵浦信号光发生系统与光耦合器相连传输需要上变频的泵浦光信号，三频率分量探测信号光发生系统与光耦合器相连传输含有三个频率分量的探测光信号，光耦合器的输出端与硅基微环谐振腔的输入端相连传输耦合后的光信号，硅基微环谐振腔的输出端与第一光放大器相连传输产生的含有三个频率分量的探测信号光。

5.根据权利要求4所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的硅基微环谐振腔包括：一个硅基微环和一根直波导，其中：硅基微环与直波导之间的空气间隔为几十至几百纳米。

6.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的上行数据接收机是光电检测器。

7.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的可调窄带滤波器的3dB带宽范围是：0.3nm-0.8nm。

8.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的光纤布拉格光栅的3dB带宽为0.1nm，且其反射频率等于探测光的中心频率。

9.根据权利要求1所述的基于硅基微环谐振腔的全光单边带上变频产生装置，其特征是，所述的光电检测器带宽大于探测光的两个频率间隔。