[发明专利]半导体部件的阳极氧化工艺无效
| 申请号： | 201010137890.2 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102212857A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 刘浩伟 | 申请（专利权）人： | 上海禹锦半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D11/02 | 分类号： | C25D11/02 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201302 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 部件 阳极 氧化 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.半导体部件的阳极氧化工艺，其特征在于，所述阳极氧化工艺通过调整阳极氧化过程中电流密度值来得到相应的膜层。
2.根据权利要求1所述的半导体部件的阳极氧化工艺，其特征在于，所述电流密度值共分为五个连续的时间段进行调整，每个时间段内电流密度值进行台阶式的提高，从而完成电流密度值的调整。
3.根据权利要求2所述的半导体部件的阳极氧化工艺，其特征在于，所述第一时间段内每过1.5min增加电流密度值0.10A/dm2；所述第二时间段内每过1.5min增加电流密度值0.15A/dm2，所述第三时间段内每过1.5min增加电流密度值0.25A/dm2，所述第四时间段内每过1.5min增加电流密度值0.30A/dm2，所述第五时间段内每过1.5min增加电流密度值0.30A/dm2。
4.根据权利要求2或3所述的半导体部件的阳极氧化工艺，其特征在于，所述每个时间段内共进行五次电流密度值调整。
5.根据权利要求3所述的半导体部件的阳极氧化工艺，其特征在于，所述第一时间段内电流密度值的起始值为0.10A/dm2。
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