[发明专利]一种用于能量存储的纳米电容器及其制作方法无效
| 申请号： | 201010138066.9 | 申请日： | 2010-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN101800253A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;朱宝 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/08;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 能量 存储 纳米 电容器 及其 制作方法 | ||
1.一种用于能量存储的纳米电容器，其特征在于，该电容器以具有有序、多孔结构的阳极氧化铝为制作模板，采用ALD方法，在模板的微孔中依次淀积底层金属电极、中间绝缘介质和顶层金属电极而获得。
2.根据权利要求1所述的纳米电容器，其特征在于所述的顶层金属电极材料是TiN、TaN或Ru。
3.根据权利要求1所述的纳米电容器，其特征在于所述的中间绝缘介质材料是Al2O3、HfO2、Ta2O5或ZrO2。
4.根据权利要求1所述的纳米电容器，其特征在于所述的底层金属电极材料是TiN、TaN或Ru。
5.根据权利要求1所述的纳米电容器，其特征在于所述阳极氧化铝模板中孔的深度为10～100微米，孔的直径为30～80纳米。
6.根据权利要求1所述的纳米电容器，其特征在于所述底层金属电极的厚度为5～15纳米，中间绝缘介质的厚度为10～50纳米，顶层金属电极的厚度为5～15纳米。
7.一种用于能量存储的纳米电容器制作方法，其特征在于具体步骤如下：
(1)在硅衬底上淀积一层金属铝，厚度为100～500微米；
(2)对金属铝进行两次阳极氧化得到具有有序、多孔结构的阳极氧化铝模板；
(3)在模板的纳米孔中用ALD方法淀积底层金属电极，厚度为5～15纳米；
(4)在底层金属电极表面用ALD方法淀积中间绝缘介质，厚度为10～50纳米；
(5)在中间绝缘介质表面用ALD方法淀积顶层金属电极，厚度为5～15纳米；
(6)在顶层金属电极表面淀积一层金属铝作为顶层集流体，厚度为200～500纳米；
(7)通过光刻工艺和反应离子刻蚀将底层集流体暴露出来，并分别用导线将顶层和底层集流体引出，作为纳米电容的两个电极。
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