[发明专利]触摸式显示装置有效
申请号: | 201010138282.3 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN102214021A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 冯辰;潜力;王昱权;刘亮 | 申请(专利权)人: | 北京富纳特创新科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/045;G06F3/044 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸式 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种触摸式显示装置,尤其涉及一种采用碳纳米管的触摸式显示装置。
背景技术
近年来,伴随着移动电话、触摸导航系统、集成式电脑显示器及互动电视等各种电子设备的高性能化和多样化的发展,在液晶等显示器的前面安装透光性的触摸屏的电子设备逐步增加。这样的电子设备的利用者通过触摸屏,一边对位于触摸屏背面的显示器的显示内容进行视觉确认,一边利用手指或笔等按压触摸屏来进行操作。由此,可以操作电子设备的各种功能。
所述触摸屏可根据其工作原理和传输介质的不同,通常分为四种类型,分别为电阻式、电容式、红外线式以及表面声波式。其中电阻式触摸屏及电容式触摸屏由于具有高分辨率、高灵敏度及耐用性等优点,被广泛应用在显示装置中。
现有技术中的电容式和电阻式触摸屏通常包括一个作为透明导电层的铟锡氧化物层(ITO层),其采用离子束溅射或蒸镀等工艺制备,KazuhiroNoda等在文献Production of Transparent Conductive Films with Inserted SiO2Anchor Layer,and Application to a Resistive Touch Panel(Electronics andCommunications in Japan,Part 2,Vol.84,P39-45(2001))中介绍了一种采用ITO/SiO2/PET层的触摸屏。然而,ITO层作为透明导电层通常采用离子束溅射或蒸镀等工艺制备,在制备的过程,需要较高的真空环境及需要加热到200~300℃,因此,使得ITO层的制备成本较高。此外,ITO层在不断弯折后,其弯折处的电阻有所增大,其作为透明导电层具有机械和化学耐用性不够好的缺点,且存在电阻不均匀且电阻值范围较小的现象。从而导致现有的触摸屏存在耐用性差、灵敏度低及准确性较差等缺点。
碳纳米管(Carbon Nanotube,CNT)是一种由石墨烯片卷成的中空管状物,其具有优异的力学、热学及电学性质,因此具有广阔的应用领域。由于单根碳纳米管的直径只有几个纳米至几十纳米,难于进行加工,为便于实际应用,人们尝试将大量碳纳米管作为原材料,制成具有较大尺寸的宏观结构。碳纳米管膜(Carbon Nanotube Film,CNT Film)即为此种宏观结构的具体形式之一。冯辰等人在2008年10月9日公开的美国专利申请US2008/0248235A1中揭露了一种从碳纳米管阵列中直接拉取获得的碳纳米管膜,这种碳纳米管膜具有宏观尺度且能够自支撑,其包括多个在范德华力作用下首尾相连的碳纳米管。由于在这种直接拉取获得的碳纳米管膜中碳纳米管基本平行于碳纳米管膜表面,且相互并排的碳纳米管间存在一定间隙,因此该碳纳米管膜较为透明。另外,由于该碳纳米管膜中碳纳米管基本沿同一方向排列,所以该碳纳米管膜能够较好的发挥碳纳米管轴向具有的导电性。
然而,该直接拉取获得的碳纳米管膜中,碳纳米管均匀,周期性分布。当将该直接拉取获得的碳纳米管膜用于触摸屏时,触摸屏往往要用到显示装置中,由于显示装置中的像素点阵列具有周期性的结构,可能会出现莫尔条纹的现象。在实际应用中,莫尔条纹的出现将在一定程度影响触摸屏的分辨率及清晰度,从而影响使用该触摸屏的触摸式显示装置的显示效果。
发明内容
有鉴于此,确有必要提供一种具有较高度分辨率及清晰度的触摸式显示装置。
一种触摸式显示装置,包括:一显示器,该显示器包括多个像素点,每个像素点包括三个子像素;以及一触摸屏,该触摸屏与所述显示器正对且靠近设置,该触摸屏包括至少一个透明导电层,其中,所述透明导电层为一碳纳米管层,该碳纳米管层由若干碳纳米管组成,该若干碳纳米管沿同一方向择优取向排列;该碳纳米管层具有多个碳纳米管减薄区域,该碳纳米管减薄区域的密度小于该碳纳米管层的密度,所述多个碳纳米管减薄区域呈非周期性分布,整个碳纳米管层的密度非周期性分布。
一种触摸式显示装置,包括:一显示器,该显示器包括多个像素点,每个像素点包括三个子像素;以及一触摸屏,该触摸屏与所述显示器正对且靠近设置,该触摸屏包括至少一个透明导电层,其中,所述透明导电层为一碳纳米管层,该碳纳米管层由若干碳纳米管组成,该若干碳纳米管沿同一方向择优取向排列;该碳纳米管层具有多个碳纳米管减薄区域,该碳纳米管减薄区域的密度小于该碳纳米管层的密度,所述多个碳纳米管减薄区域与所述子像素一一对应,且该多个碳纳米管减薄区域的密度呈非周期性分布,整个碳纳米管层的密度非周期性分布。
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