[发明专利]转移器件的方法无效
申请号: | 201010138477.8 | 申请日: | 2010-04-02 |
公开(公告)号: | CN101859728A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 水野刚;友田胜宽;大畑丰治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/00;H01L33/00 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 武玉琴;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 器件 方法 | ||
相关申请的交叉参考
本申请包含与2009年4月10日向日本专利局提交的日本在先专利申请2009-095896的公开内容相关的主题,在此将该在先申请的全部内容以引用的方式并入本文。
技术领域
本发明涉及转移器件的方法,具体地,涉及通过激光剥离技术将器件从第一基板转移到第二基板上的方法。
背景技术
作为选择性地且精确地将布置在第一基板上的一组器件的一部分转移到第二基板上的方法,试图采用激光剥离技术。利用激光剥离技术实现器件转移如下文所述。首先,第一基板和第二基板布置为,第一基板的器件布置表面与形成第二基板的表面的粘合剂层彼此面对。在此情况下,激光束只从第一基板侧照射与将要转移的器件对应的位置。于是,设在第一基板和器件之间的剥离层立刻被蒸发(剥离)并气化,从而器件从第一基板剥离,然后粘附固定在第二基板的粘合剂层上。
在先技术还提出一种方法,当照射激光束时,第一基板和第二基板布置为彼此相对地隔开。于是,不存在由于作用在两个基板上的压力不均匀所致的问题和关于对准的问题。此外,也不存在转移之后粘合剂粘在多余的部分或者两个基板彼此不完全分离的情况。而且,根据该技术,其上照射激光束的器件的表面被预先处理,从而可调整激光照射所致的气体的压力作用方向并且可控制器件散布方向(参见JP-A-2002-314053(0010段和0020段))。
发明内容
然而,利用上述方法,需要预先处理照射激光束的器件的表面以精确地将器件转移到分开布置的第二基板上,这会带来很大麻烦。此外,当器件的表面应该保持平坦时,难以控制器件散布方向。
因此,期望提供转移器件的方法,该方法能够精确地将器件转移到分开布置的第二基板上而无需处理器件的表面。
本发明实施例的转移器件的方法按如下方式实现。首先,将第一基板和第二基板布置为彼此相对地隔开,所述第一基板上设有器件,剥离层位于所述第一基板和所述器件之间,并且所述第二基板上设有粘合剂层,其中所述器件和所述粘合剂层彼此面对。在此情况下,所述剥离层具有等于或小于所述器件的平面形状。在此情况下,将照射面积比所述剥离层的基底面积大的激光束从所述第一基板侧照射在所述剥离层的整个表面上。于是,剥离层被剥离,并且器件从第一基板上剥离后被转移到第二基板上。
利用该方法,可相对于第一基板和第二基板的表面在垂直方向上控制因剥离层的剥离引起的器件散布方向。
因此,根据本发明的实施例,能够在不处理器件表面的情况下精确地将器件转移到第二基板上。
附图说明
图1A~图1D是表示本发明第一实施例的转移器件的方法的剖面处理图。
图2A~图2F是表示每激光束的照射能量的转移结果的图。
图3A和图3B是用来说明第二实施例的具有器件缺少部分的第二基板的配置图。
图4A~图4D是表示根据第二实施例修补器件缺少部分的方法的剖面处理图。
图5是表示发光强度分布和多个发光器件安装在第一基板上的情况的图。
图6A是表示第三实施例的转移方法的图(第一图)。
图6B是表示第三实施例的转移方法的图(第二图)。
图6C是表示第三实施例的转移方法的图(第三图)。
图6D是表示第三实施例的转移方法的图(第四图)。
图7A是表示第四实施例的转移方法的图(第一图)。
图7B是表示第四实施例的转移方法的图(第二图)。
图7C是表示第四实施例的转移方法的图(第三图)。
具体实施方式
以下,按照如下顺序说明本发明的各实施例。
1.第一实施例(器件从第一基板转移到第二基板上的示例)
2.第二实施例(器件从第一基板转移到第二基板的器件缺少部分并且被修补的示例)
3.第三实施例(第一基板的布置被改变并且器件重新布置在第二基板上的第一示例)
4.第四实施例(第一基板的布置被改变并且器件重新布置在第二基板上的第二示例)
第一实施例
图1A~图1D是表示采用本发明的转移器件的方法的剖面处理图。这里所述的转移器件的方法例如是,在发光二极管(LED)以矩阵形式布置的显示装置的制造过程等中将LED器件从第一基板转移到第二基板上的方法。按如下步骤实施该方法。
首先,如图1A所示,多个器件5位于第一基板1上,剥离层3夹在器件5与第一基板1之间。粘合剂层9设于第二基板7上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造