[发明专利]用于形成金属栅极晶体管的方法

权利要求书

1.一种用于清洗衬底上方的金属栅极晶体管的栅极介电层上方的扩散势垒的方法，所述方法包括：

用第一溶液清洗所述扩散势垒，所述第一溶液包括至少一种表面活性剂，所述第一溶液的所述表面活性剂的量约为临界胶束浓度(CMC)以上；以及

用第二溶液清洗所述扩散势垒，所述第二溶液具有物理力以去除所述扩散势垒上方的颗粒，其中，所述第二溶液基本不与所述扩散势垒互相作用。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一溶液和所述第二溶液是相同的溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第一溶液清洗所述扩散势垒能够去除有机残留物和聚合物中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面活性剂选自由阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、两亲性表面活性剂、非离子表面活性剂和任何它们的组合所组成的组。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述表面活性剂的量在约0.0001wt.％和约1wt.％之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第一溶液清洗所述扩散势垒包括：

以从约0.5公升/分钟到约4公升/分钟的流速来分散所述第一溶液；以及

以从约500RPM到约800RPM的速度旋转所述衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，用所述第二溶液清洗所述扩散势垒包括喷淋清洗、超声波清洗或它们的组合，所述喷淋清洗包括：

提供具有流速在约40cc/分钟和约200cc/分钟之间的去离子水；

注入具有流速在约10公升/分钟和约100公升/分钟之间的惰性气体，以生成物理力来去除颗粒；以及

以从约500RPM到约1000RPM的速度旋转所述衬底。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述扩散势垒不经受SC1工艺和SC2工艺中的至少一个。

9.一种用于形成金属栅极晶体管的方法，所述方法包括：

在衬底上的栅极介电层上方的扩散势垒的上方形成伪栅极，在所述伪栅极周围具有绝缘介电层，至少一个掺杂区域与所述伪栅极相邻；

去除所述伪栅极以露出所述扩散势垒；

用包括至少一种表面活性剂的第一溶液清洗所述扩散势垒，所述第一溶液的表面活性剂的量约为临界胶束浓度(CMC)以上；

用第二溶液清洗所述扩散势垒，所述第二溶液具有物理力以去除所述扩散势垒上方的颗粒，其中，所述第二溶液基本不与所述扩散势垒互相作用；以及

此后，在所述扩散势垒的上方形成第一金属栅极层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述表面活性剂选自由阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、两亲性表面活性剂、非离子表面活性剂和任何它们的组合所组成的组，所述表面活性剂的量在约0.0001wt.％和约1wt.％之间。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，用所述第一溶液清洗所述扩散势垒包括：

以从约0.5公升/分钟到约4公升/分钟的流速来分散所述第一溶液；以及

以从约500RPM到约800RPM的速度旋转所述衬底。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，用所述第二溶液清洗所述扩散势垒包括喷淋清洗工艺、超声波清洗工艺或它们的组合，所述喷淋清洗包括：

提供具有流速在约40cc/分钟和约200cc/分钟之间的去离子水；

注入具有流速在约10公升/分钟和约100公升/分钟之间的惰性气体，以生成物理力来去除颗粒；以及

以从约500RPM到约1000RPM的速度旋转所述衬底。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一溶液和所述第二溶液是相同的溶液，用所述第一溶液清洗所述扩散势垒能够去除有机残留物和聚合物中的至少一种，所述扩散势垒不经受SC1工艺和SC2工艺中的至少一个。