[发明专利]一种低张力ITO蚀刻液

说明书

一、技术领域

本发明涉及一种低张力ITO蚀刻液，尤其涉及一种草酸型低张力ITO蚀刻液。

二、背景技术

草酸型ITO蚀刻液，本品为无色透明液体，显酸性，该产品主要用于TFT-LCD、LED、OLED等行业用作面板制程中的ITO层的蚀刻剂。目前ITO蚀刻液主要由草酸晶体和纯水为组成，该产品主要存在以下几点缺点：①目前国内厂家使用的草酸型ITO蚀刻液液的表面张力在70左右，对ITO层的浸润性不足，导致蚀刻后存在微晶体残留；②在低于5℃时容易结晶，运输时需要使用保温运输，运输成本高；同时客户在使用时容易致使客户端过滤器堵塞，影响客户设备及使用。

三、技术内容

针对上述缺点，本发明的目的在于提供一种表面张力低于70和结晶温度低于5℃的低张力ITO蚀刻液。

本发明的技术内容为，一种低张力ITO蚀刻液，其特征是它包括以下重量百分比的组份

草酸          3.2～3.6

正己酸        0.1～0.2

水            96.2～96.6。

本发明在原有工艺的基础上新加入了添加剂正己酸，添加剂正己酸的作用：加入正己酸后，能有效降低ITO蚀刻液的表面张力，使其能够产生渗透，浸润的作用，提高草酸的蚀刻效果，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。

本发明与现有技术相比所具有的优点是：

1、表面张力低于70，蚀刻效果佳，无微晶体残留。

2、0℃～5℃下不结晶，不影响客户端设备，还可降低运输成本。

四、具体实施方式

下面通过实施例进一步描述本发明，但未限于所举的实施例。

纯度为99.6重量％的草酸晶体，优等品，吴江市黎里东阳助剂厂生产，其指标如表1

  类别  优等品     以％计  含量             ≥99.6  硫酸根             ≤0.08  氯化物             ≤0.002  重金属             ≤0.001  灼烧残渣             ≤0.08  铁             ≤0.001  外观             白色晶体

表1

浓度为99重量％的正己酸，优等品，邯郸市科正化工有限公司生产，其指标如表2