[发明专利]等离子处理装置和等离子处理方法

权利要求书

1.一种等离子处理装置，其在处理容器中设置有高频电极，在上述处理容器内对被处理体进行预定的等离子处理时，从上述高频电极的背面对该高频电极施加第1高频电力，上述高频电极的正面被暴露在处理气体的等离子体中其特征在于，

包括：

第1导体，具有朝相反方向的第1面和第2面，使上述第1面与上述高频电极的背面的预定部位相对，在施加上述第1高频电力时电连接于上述高频电极的背面；

第2导体，具有在施加上述第1高频电力时与上述第1导体的上述第2面的预定部位电连接的第1连接部、和在上述高频电极附近与电接地的导电性构件电连接的第2连接部。

2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述第1导体与上述高频电极的背面电容耦合。

3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

在上述高频电极的背面的中心部连接有用于对上述高频电极供给上述第1高频电力的高频供电棒，

上述第1导体和第2导体避开上述高频供电棒地配置在该高频供电棒径向外侧。

4.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述第1导体是上述第1和第2面互相大致平行的导体板。

5.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体仅具有1个上述第1连接部，

上述第1导体的上述第1面上的电场强度在面内不恒定，在与上述第1连接部相对应的位置为最大。

6.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体具有多个上述第1连接部，

上述第1导体的上述第1面上的电场强度在面内不恒定，在与多个上述第1连接部分别相对应的多个位置电场强度为极大。

7.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

上述第1导体互相分离地设置多个，

上述第2导体与各上述第1导体之间具有上述第1连接部。

8.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体互相分离地设置多个，

各上述第2导体与上述第1导体之间具有上述第1连接部。

9.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其中，

多个上述第1连接部沿着上述高频电极的方位角方向以大致恒定间隔配置。

10.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体是柱状体，其一端构成上述第1连接部，其另一端或位于上述一端与上述另一端之间的中间部构成上述第2连接部。

11.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体是板状体或筒状体，其一端面构成上述第1连接部，其相反一侧的另一端面或位于上述一端面与上述另一端面之间的中间部构成上述第2连接部。

12.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

该等离子处理装置具有用于改变上述第1导体相对于上述高频电极的位置的第1导体移动机构。

13.根据权利要求12所述的等离子处理装置，其中，

上述第1导体移动机构在与上述高频电极的背面垂直的方向上改变上述第1导体的位置。

14.根据权利要求12所述的等离子处理装置，其中，

上述第1导体移动机构在上述高频电极的方位角方向上改变上述第1导体的位置。

15.根据权利要求12所述的等离子处理装置，其中，

上述第1导体移动机构在上述高频电极的径向上改变上述第1导体的位置。

16.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，

该等离子处理装置具有用于改变上述第2导体的上述第1连接部相对于上述高频电极的位置的第2导体移动机构。

17.根据权利要求16所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体移动机构在与上述高频电极的背面垂直的方向上改变上述第1连接部的位置。

18.根据权利要求16所述的等离子处理装置，其中，

上述第2导体移动机构在上述高频电极的方位角方向上改变上述第1连接部的位置。