[发明专利]一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法

权利要求书

1.一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法，具体包括以下步骤：

第一步，制备用于制作压印表面传导电子发射源发射间隙的硅橡胶凸模；

第二步，在玻璃基板上制作左、右电极以及行、列引出电极；

第三步，利用硅橡胶凸模采用逆压印技术将UV胶转印到左、右电极中间位置的玻璃基板 上，并用紫外光固化定型，形成间隔条；然后，依次采用套印光刻工艺、磁控溅射工艺、剥 离工艺制作搭接在左、右电极和间隔条上的Pd电子发射薄膜；最后，采用液氮激冷工艺， 在液氮中浸泡激冷，Pd电子发射薄膜在间隔条顶部冷缩形成拱起裂纹，构成电子发射源的 发射间隙。

2.根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在 于，所述第一步的具体工艺为：首先，在硅片基底上通过普通光刻和蚀刻工艺制作用于制备 与硅橡胶凸模的相对应的凹模；然后，通过翻模技术，采用比例为10∶1的硅橡胶及对应的 固化剂混合物翻制硅橡胶凸模。

3.根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在 于，所述第二步的具体工艺为：首先，在玻璃基板上采用普通光刻和蚀刻工艺制作Pt电极 图形；接着，采用磁控溅射工艺在左、右电极图形上溅射100nm厚的Pt薄膜；再采用剥离 工艺，在丙酮中浸泡、超声清洗，去除多余的Pt薄膜，形成左、右电极阵列，其中右电极 与列引出电极为一体；然后，采用丝网印刷技术在列电极和行引出电极的交汇处制备绝缘胶 层，确保左、右电极不短路；最后，采用丝网印刷技术制作行引出电极，用于将同一行的左 电极连接在一起的，构成行扫描电极。

4.根据权利要求1所述的一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法，其特征在 于，所述第三步的具体工艺为：首先，利用硅橡胶凸模采用逆压印技术将UV胶转印到左、 右电极中间位置的玻璃基板上，并用紫外光固化定型，形成间隔条；接着，采用套印光刻 工艺将Pd电子发射薄膜图形化定位在间隔条之上，同时搭接左右电极；再采用磁控溅射工 艺溅射20nm厚的Pd电子发射薄膜；然后，采用剥离工艺，在丙酮中浸泡、超声清洗，去 除多余的Pd电子发射薄膜，使Pd电子发射薄膜覆盖间隔条并且搭接左右电极；最后，采用 液氮激冷工艺，在液氮中浸泡激冷，Pd电子发射薄膜在间隔条顶部冷缩形成拱起裂纹，构 成电子发射源发射间隙。

5.根据权利要求1或3所述的一种基于纳米压印的表面传导电子发射源的制作方法，其特 征在于，所述第三步中的剥离工艺和液氮激冷工艺的先后次序可以互换。