[发明专利]一种硅基纳米孔的制作方法

权利要求书

1.一种硅基纳米孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

一、在硅衬底（1）上覆盖保护材料（2）和顶层保护材料（3），保护 材料（2）采用溅射的铬层，厚度为300nm，顶层保护材料（3）采用溅 射的铝层，厚度为300nm，用微细加工技术将需要在硅衬底（1）上刻 蚀出的图形加工到两层保护材料上，图形的深度到达硅衬底（1）的表 面；

二、在硅衬底（1）的表面运用深反应离子刻蚀的方法刻蚀出垂直的柱 状孔，刻蚀的深度取决于所用硅片的厚度和所要制作的硅纳米孔之间 的距离,根据硅各向异性湿法腐蚀的特性和所要制作的硅纳米孔之间的 距离，可以得到湿法腐蚀的深度，深反应离子刻蚀的深度为硅片的厚 度减去湿法腐蚀的深度；

三、在柱状孔的表面（6）涂上光刻胶（5）；

四、采用湿法腐蚀，利用浓度为30%的氢氧化钾碱性溶液，从柱状孔末 端往下继续腐蚀，使得腐蚀出的斜面（4）与水平面的夹角为53.7°, 最后得到尺寸可控的硅纳米孔（7）。